Електропровідність і магнеторезистивні властивості шаруватих структур на основі Fe та SiO

Abstract

Представлено експериментальні результати щодо електропровідности та магнеторезистивних властивостей шаруватих структур на основі Fe та SiO, одержаних методою пошарового електронно-променевого осадження у вакуумі. Показано, що величина питомого опору залежить від ефективної товщини шарів Fe, що зумовлено розмірними ефектами у плівкових матеріалах. Магнеторезистивний ефект для свіжосконденсованих і відпалених шаруватих структур має анізотропний характер, а його величина не перевищує 0,1% за кімнатної температури.

The experimental results on electrical conductivity and magnetoresistive properties of layered structures based on Fe and SiO prepared by layer-bylayer electron-beam condensation method are presented. As demonstrated, the value of resistivity depends on the effective thickness of Fe layers. It is associated with the size-effect appearance in thin-film materials. For as-deposited and annealed structures, the magnetoresistive effect has anisotropic character, and its value does not exceed 0.1% at room temperature.