Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту

Abstract

У роботі досліджено електричні та фотоелектричні характеристики сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлено збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму у випадку впровадження кобальту в матрицю поруватого кремнію. Вивчені спектральні характеристики фотовідгуку бар’єрних структур в діапазоні довжин хвиль 450-1100 нм. Досліджено температурні залежності фотоерс та енергетичні характеристики структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Отримані результати розширюють перспективу застосування поруватого кремнію у фотоелектроніці та сенсориці.

В работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики сэндвич - структур на основе пористого кремния, модифицированного наночастицами кобальта. Выявлено увеличение электропроводимости экспериментальных структур, а также величины фотоэдс и фототока в случае внедрения кобальта в матрицу пористого кремния. Изучены спектральные характеристики фотоответа барьерных структур в диапазоне длин волн 450-1100 нм. Исследованы температурные зависимости фотоэдс и энергетические характеристики структур на основе пористого кремния, модифицированного наночастицами кобальта. Полученные результаты расширяют перспективу применения пористого кремния в фотоэлектронике и сенсорике.

In this work, the electrical and photovoltaic properties of sandwich structures based on porous silicon modified by cobalt nanoparticles were investigated. The increase of electrical conductivity, photovoltage and photocurrent of experimental structures was detected for the case of introduction of cobalt into the porous silicon matrix. The spectral characteristics of photoresponse of the barrier structures in the 450- 1100 nm wavelength range were studied. The temperature dependences of photovoltage and energy characteristics of the structures based on porous silicon modified by cobalt nanoparticles were measured. The results extend the perspectives of porous silicon in photoelectronics and sensor electronics.