Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії

Abstract

При використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії контакт охолодженої підкладки з розчином-розплавом призводить до виникнення градієнту температури по її товщині. При цьому формуються механічні напруження, які можуть призвести до руйнування підкладки. Метою роботи є дослідження напружень, що виникають по товщині підкладки, при використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії. Моделювання проведено для системи Gе-GaAs в діапазоні температур 450÷850 оС. Товщина підкладки – 380 мкм, її початкова температура – 27 оС, товщина Ga-Ge розчину-розплаву – 3500 мкм.