Космінська, Юлія ОлександрівнаКосминская, Юлия АлександровнаKosminska, Yuliia OleksandrivnaПерекрестов, Вячеслав ІвановичПерекрестов, Вячеслав ИвановичPerekrestov, Viacheslav IvanovychМокренко, Андрій АнатолійовичМокренко, Андрей АнатольевичMokrenko, Andrii AnatoliiovychКорнющенко, Ганна СергіївнаКорнющенко, Анна СергеевнаKorniushchenko, Hanna SerhiivnaДешин, Б.В.Дешин, В.Б.2012-07-162012-07-162011Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации : отчет о НИР (заключительный) / Рук. Ю.А. Косминская. - Сумы : Сумской государственный университет, 2011. - 49 с.0000-0002-2996-10030000-0002-2175-9206http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27251Объект исследования – процессы структурообразования низкоразмерных структур никеля, хрома, кремния и углерода в процессе квазиравновесной стационарной конденсации атомов. Цель работы: исследование и разработка нового технологического направления формирования низкоразмерных систем углерода, слаболетучих металлов, кремния, основанного на явлениях самоорганизации в условиях квазиравновесных стационарных процессов конденсации на границе раздела плазма-конденсат. В работе получены низкоразмерные пористые слои никеля и хрома в квазиравновесных стационарных условиях при помощи планарной магнетронной распылительной системы на постоянном токе, а также при помощи разработанной нами накопительной системы плазма-конденсат. Показано, что процесс их формирования сопровождается отсутствием классической ростовой коалесценции, переориентацией слабых осаждаемых потоков в области первичных скоплений кластеров, а также гомогенной нуклеацией в местах их сращивания. Реализованы условия квазиравновесной конденсации в накопительной ионно-плазменной системе с использованием обратных диффузионных потоков распыленного вещества. Данная технология позволила обнаружить эффекты самоорганизации одинаковых по размерам островков кремния, а также проявление пространственно распределенной структурной и аллотропной селективности при конденсации углерода. В работе обсуждается роль активных центров преимущественного закрепления адатомов, электрического поля над ростовой поверхностью, которое зависит от ее кривизны. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27251rucneмагнетронное распылениенакопительная система плазма-конденсатквазиравновесные условияселективностьнизкоразмерные системыTechnical Report