Перекрестов, Вячеслав ІвановичПерекрестов, Вячеслав ИвановичPerekrestov, Viacheslav IvanovychКосмінська, Юлія ОлександрівнаКосминская, Юлия АлександровнаKosminska, Yuliia OleksandrivnaМокренко, Олександр АнатолійовичМокренко, Александр АнатольевичMokrenko, Oleksandr AnatoliiovychКорнющенко, Ганна СергіївнаКорнющенко, Анна СергеевнаKorniushchenko, Hanna SerhiivnaДьошин, Борис ВікторовичДешин, Борис ВикторовичDoshyn, Borys ViktorovychДьошин, В.Б.Дешин, В.Б.Doshyn, V.B.Латишев, В.М.Латишев, В.М.Latyshev, V.M.2014-05-282014-05-282011Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці: звіт про НДР (заключний) / Кер.: В.І. Перекрестов. - Суми: СумДУ, 2011. - 62 с.0000-0002-2175-92060000-0002-2996-1003http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35280Метою проекту є дослідження й розробка нових технологічних підходів до формування конденсатів Si, SiC і AlN, основаних на явищах самоорганізації квазірівноважних стаціонарних процесів на межі поділу низькотемпературна плазма-конденсат. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35280ukcneмагнетронне розпиленнямагнитронное распылениенітрид алюмініюнитрид аллюминияTechnical Report