Приймак, С.А.2024-07-032024-07-032024Приймак С.А. Комп’ютерне моделювання та оптимізація одновимірних фотоелектричних перетворювачів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024. 35 с.https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96009Фотоелектричні перетворювачі на основі p-i-n гетеропереходів, зокрема GaAs/AlGaAs, привертають значну увагу завдяки їх високій ефективності та стабільності. Однак, для досягнення максимальної продуктивності необхідно здійснити точне чисельне моделювання та оптимізацію. Метою роботи є чисельне моделювання одновимірних фотоелектричних перетворювачів на основі GaAs/AlGaAs p-i-n-гетеропереходу та визначення оптимальних параметрів для підвищення ефективності перетворення сонячної енергії. У результаті проведених досліджень було здійснено ряд симуляцій структур фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, набуто навичок роботи з транспортними моделями. Робота складається зі вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд фізичних основ принципу дії, особливостей будови нанодротового масиву та одиничних фотогальванічних нанодротів на основі GaAs/AlGaAs p-i-n-гетеропереходу та плазмонних сонячних батарей. У другому розділі описано розробку та опис програми для моделювання фотоелектричного перетворювача сонячної енергії на основі нанодротів. У третьому розділі аргументовано вибір транспортних моделей для p-i-n наноструктур, проаналізовано та порівняно результати симуляції структур та електричних параметрів з реальними характеристиками.ukcneнанодротовий фотоелектричний перетворювачp-i-n-гетероперехіделектричні параметрикомп’ютерна симуляціяnanowire photoelectric converterp-i-n heterojunctionelectrical parameterscomputer simulationBachelous paper