Zikrillayev, N.F.Isamov, S.B.Isakov, B.O.Wumaier, T.Wen Liang, L.Zhan, J.X.Xiayimulati, T.2024-01-032024-01-032023N.F. Zikrillayev, S.B. Isamov, B.O. Isakov, et al., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 6, 06024 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06024https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94080Розроблено дифузійну технологію формування бінарних кластерів в кремії за участю елементів III і V груп. Показано, що шляхом контролю концентрації елементів атомів III і V групи можна сформувати багатошарові гетеропереходи на основі кремнію в поверхневій області кремнію зі збагаченими нанокристалами AIIIBV, а потім збагаченими різними комбінаціями елементарних комірок Si2AIIIBV (1 – 5 мкм товщиною). Це створює практичний новий матеріал на основі кремнію - безперервну варизонну структуру завдяки плавному переходу від забороненої зони напівпровідникових сполук III – V до забороненої зони кремнію.The diffusion technology has been developed for the formation of binary clusters involving elements of group III and V in silicon. It is shown that by controlling the concentration of elements of group III and V atoms, multilayer silicon-based heterojuns can be formed in the surface region of silicon with enriched AIIIBV nanocrystals, followed by enriched with various combinations of Si2AIIIBV unit cells (1 – 5 µm thick). This creates a practical new material based on silicon - a continuous graded-gap structure, i.e. heterojuns by a smooth transition from the band gap of III – V semiconductor compounds to the band gap of silicon.eninc10напівпровідникбінарні кластериелементарні клітинисамоорганізаціясамоструктурананоструктурананокристалсвітлочутливістькомбінаціїбагатоступеневі фотоелементиsemiconductorbinary clustersmuticascade PV cellselementary cellsself-organizationself-structurenanostructurenanocrystalphotosensivitycombinationsmultistage PV cellsArticle