Пушкар, С.О.Лободюк, Олена СергіївнаLobodiuk, Olena SerhiivnaОднодворець, Лариса ВалентинівнаOdnodvorets, Larysa Valentynivna2025-06-292025-06-292025Пушкар С. О., Лободюк О. С., Однодворець Л. В. Сенсори магнітного поля на основі спін-залежного розсіювання електронів // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, Суми, 21–25 квітня 2025 року / відп. за вип. Ю. Ю. Волк. Суми : Сумський державний університет, 2025. С. 41-43.https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99443Магніторезистивний ефект (МРЕ) у феромагнітних матеріалах широко використовується при розробленні сенсорів магнітного поля і зчитуючих головок, проте впровадження тонкоплівкової технології відкрило нові можливості перед розробниками таких пристроїв і розширило сферу їх застосувань [1]. Використання МРЕ із застосуванням сучасної інтегральної технології дає можливість створювати мікромініатюрні датчики з високою чутливістю (незалежною від частоти) у широкому діапазоні (включаючи постійні поля) і можливістю виготовлення на одній підкладці сенсорів і головок, а також електронних схем обробки сигналів і керування.ukcneмагніторезистивний ефектмікромініатюрні датчикитонкоплівкова технологіяmagnetoresistive effectmicrominiature sensorsthin-film technologyTheses