Кахерський, Станіслав ІгоровичКахерський, Станислав ИгоревичKakherskyi, Stanislav IhorovychПшеничний, Роман МиколайовичПшеничный, Роман НиколаевичPshenychnyi, Roman MykolaiovychОпанасюк, Анатолій СергійовичОпанасюк, Анатолий СергеевичOpanasiuk, Anatolii SerhiiovychДоброжан, Олександр АнатолійовичДоброжан, Александр АнатольевичDobrozhan, Oleksandr AnatoliiovychКурбатов, Денис ІгоровичКурбатов, Денис ИгоревичKurbatov, Denys IhorovychВорожцов, Д.О.2021-10-262021-10-262021Пат. 147623 U Україна, МПК (2021.01) H01L 21/00. Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 / С.І. Кахерський, Р.М. Пшеничний, А.С. Опанасюк та ін. (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u202008217; заявл. 22.12.2020; опубл. 27.05.2021, бюл. №21.0000-0002-2754-63670000-0002-2560-93790000-0002-1888-39350000-0001-9238-7596https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85900Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 полягає в тому, що суміш солей CuCl2.2H2O, Zn(CH3COO)2.2H2O, SnCl2.2H2O та аморфного Se у мольному співвідношенні Cu:Zn:Sn:Sе=2:(1,48-1,52):1:4 розчиняють у триетиленгліколі, нагрівають до 393 K та витримують при цій температурі в атмосфері аргону протягом 30 хвилин, далі нагрівають до температури синтезу 543-553 K та витримують протягом 100-120 хв. У процесі синтезу одержують золь нанокристалічного Cu2ZnSnSе4 в триетиленгліколі. Суміш охолоджують до кімнатної температури та відділяють синтезований продукт від органічної складової за допомогою центрифугування. Залишки триетиленгліколю відмивають етанолом при інтенсивному збовтуванні з наступним центрифугуванням. Відмитий продукт сушать при температурі 333 K протягом 12 год.ukcneстворення нанокристалівсоздание нанокристалловcreation of nanocrystalsцентрифугуванняцентрифугированиеcentrifugationнапівпровідникова сполука Cu2ZnSnSe4полупроводниковое соединение Cu2ZnSnSe4semiconductor compound Cu2ZnSnSe4Patent