Опанасюк, Анатолій СергійовичОпанасюк, Анатолий СергеевичOpanasiuk, Anatolii SerhiiovychВозний, Андрій АндрійовичВозный, Андрей АндреевичVoznyi, Andrii AndriiovychЄрьоменко, Юрій СергійовичЕременко, Юрий СергеевичYeromenko, Yurii SerhiiovychПодопригора, О.О.Фролов, А.І.2018-05-312018-05-312018Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS [Текст] / О.О. Подопригора, Ю.С. Єрьоменко, А.А. Возний [та ін.] // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 5-9 лютого 2018 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми: СумДУ, 2018. – С. 108.0000-0002-1888-39350000-0002-9153-8097http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67893В наш час відбувається активний пошук перспективних матеріалів та розробляються нові підходи до створення приладових структур з підвищеною ефективністю перетворення сонячної енергії в електричну. Для створення фотоперетворювачів (ФЕП) третього покоління в якості поглинального шару сьогодні почала використовуватися сполука сульфіду олова, яка відноситься до групи A4B6. SnS – нетоксичний, дешевий матеріал, складові елементи якого широко розповсюджені у земній корі.ukcneфотоперетворювачфотопреобразовательphotoconvertersсонячна енергіясолнечная энергияsolar energyгетероструктуригетероструктурыheterostructuresTheses