Пшеничний, Роман МиколайовичПшеничный, Роман НиколаевичPshenychnyi, Roman MykolaiovychОпанасюк, Анатолій СергійовичОпанасюк, Анатолий СергеевичOpanasiuk, Anatolii SerhiiovychЄрмаков, М.С.2023-07-272023-07-272023Пат. 153358 U Україна, МПК (2023.01) H01L 21/00, B82Y 40/00. Спосіб одержання плівок напівпровідникових твердих розчинів Cu2MgxZn1-xSnS4 / Р. М. Пшеничний, А. С. Опанасюк, М. С. Єрмаков (Україна); заявник та патентовласник Сумський державний університет. - № u202204900; заявл. 21.12.2022; опубл. 22.06.2023, Бюл. № 25. 7 c.0000-0002-2560-93790000-0002-1888-3935https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92676Спосіб одержання плівок напівпровідникових твердих розчинів Cu2MgxZn1-xSnS4 (0<х<1) включає приготування молекулярного багатокомпонентного розчину, складовими якого є вихідні солі цинку, міді, олова, магнію та тіосечовина, з наступним нанесенням його на скляну підкладку. При цьому для приготування молекулярного багатокомпонентного розчину використовують водні розчини вихідних солей цинку, міді, олова та магнію, і нанесення молекулярного багатокомпонентного розчину здійснюють методом спрей-піролізу пульсуючим розпиленням на нагріту до 350 °C підкладку, при цьому кількість циклів розпилення складає від 50 до 250, і тривалість одного циклу - від 4 до 6 с, залежно від необхідної товщини плівки.ukcneнапівпровідникові тверді розчини Cu2MgxZn1-xSnS4semiconductor solid solutions Cu2MgxZn1-xSnS4спрей-піролізspray pyrolysisпульсуюче розпиленняpulsating sprayСпосіб одержання плівок напівпровідникових твердих розчинів Cu2MgxZn1-xSnS4Patent