Скрибка, О.А.2024-07-032024-07-032024Скрибка О. А. Морфологічні особливості формування одномірних напівпровідникових структур : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. М. М. Іващенко. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024. 28 с.https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96032Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи бакалавра фізичні процеси фазоутворення, які відбуваються при формуванні одномірних напівпровідникових структур оксиду цинку . Мета роботи полягає у систематизації знань про фізичні особливості формування морфології поверхні одномірних напівпровідникових наноструктур, отриманих гідрохімічним методом на орієнтовані монокристалічні підкладки оксиду цинку в залежності від таких фізико-технологічних параметрів, як температура підкладки, на яку наносилися наноструктури та концентрації як домішки вольфраму, та і компоненту цинку.. При виконанні роботи використовувалися методи аналізу літературних джерел стосовно фізичних властивостей, методик одержання та дослідження напівпровідникових структур. У результаті проведених досліджень встановлено, що наноструктури оксиду цинку мають складний характери формування морфологічних структур, на що впливає як орієнтація росту даних структур, так і фізико-технологічні умови їх одержання.ukcneZnOнанодрітнапівпровідникконцентраціяорієнтація ростуnanowiresemiconductorconcentrationgrowth orientationBachelous paper