Колесник, Максим МиколайовичОпанасюк, Анатолій СергійовичТиркусова, Надія ВолодимирівнаДанильченко, Сергій МиколайовичKolesnyk, Maksym MykolaiovychOpanasiuk, Anatolii SerhiiovychDanylchenko, Serhii MykolaiovychДанильченко, Сергей НиколаевичКолесник, Максим НиколаевичОпанасюк, Анатолий СергеевичТыркусова, Надежда ВладимировнаTyrkusova, Nadiia Volodymyrivna2011-01-152011-01-152009М.М. Колесник, А.С. Опанасюк, Н.В. Тиркусова, С.М. Данильченко, Ж. нано- електрон. фіз. 1 №2, 11 (2009)2077-67720000-0002-3248-00670000-0002-1888-39350000-0003-2019-8387http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2640У роботі вивчені структурні та електричні властивості гетеропереходів ZnTe/CdTe, одержаних методом термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі. Проведені дослідження дозволили визначити структурні параметри плівок, такі як текстура, період кристалічної гратки, розміри кристалітів та областей когерентного розсіювання, рівень мікродеформацій, а також їх залежність від умов отримання плівок. Електрофізичні дослідження дозволили визначити механізми струмоперенесення в гетеропереході. // Eng In this work we have studied the structural and electrophysical properties of the ZnTe/CdTe heterojunctions, obtained by the method of thermal evaporation in quasi-closed volume. Investigations allowed to define the films structural parameters, such as texture, lattice constant, sizes of grains and coherent-scattering domains, micro-deformation level, and their dependence on the conditions of films production as well. Electrophysical investigations allowed to define the charge-transport mechanism in heterojunction. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2640cneГЕТЕРОПЕРЕХІД ZnTe/CdTeСТРУКТУРНИЙ ФАКТОРРОЗМІР ЗЕРЕНВОЛЬТ-АМПЕРНА ХАРАКТЕРИСТИКАМЕХАНІЗМ СТРУМОПЕРЕНОСУZnTe/CdTe HETEROJUNCTIONSSTRUCTURE FACTORGRAIN SIZECURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICCHARGE-TRANSPORT MECHANISMТонкоплівкові гетеропереходи ZnTe/CdTeZnTe/CdTe thin-film heterojunctionsArticle