Іващенко, Максим МиколайовичИващенко, Максим НиколаевичIvashchenko, Maksym MykolaiovychКурбатов, Денис ІгоровичКурбатов, Денис ИгоревичKurbatov, Denys IhorovychД`яченко, Олексій ВікторовичДьяченко, Алексей ВикторовичDiachenko, Oleksii ViktorovychШамардін, Артем ВолодимировичШамардин, Артем ВладимировичShamardin, Artem VolodymyrovychЗнаменщиков, Ярослав ВолодимировичЗнаменщиков, Ярослав ВладимировичZnamenshchykov, Yaroslav VolodymyrovychВозний, Андрій АндрійовичВозный, Андрей АндреевичVoznyi, Andrii AndriiovychДоброжан, Олександр АнатолійовичДоброжан, Александр АнатольевичDobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych2021-07-052021-07-052020Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок CU2ZNSN(GE)SSE4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління [Текст] : Створення прототипів сонячних елементів на основі тонких плівок Cu2znsn(Ge)(S,Se)4 з різними віконними шарами: звіт про НДР (остаточний) / кер. М. М. Іващенко. — Суми : СумДУ, 2020. — 99 с.0000-0002-2754-63670000-0001-9238-75960000-0002-4611-09560000-0002-6866-0414https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84387Об’єкт дослідження - вплив фізико-технологічних умов отримання на фазовий склад, структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок кестеритів типу I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4. Мета роботи - створення модельних зразків сонячних перетворювачів на основі плівок сполук групи I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4 з різними буферними та віконними шарами недорогим безвакуумним методом спрей-піролізу.ukcneкестеритмеханізми ростуморфологія поверхнітонкі плівкиелектричні властивостімеханизмы ростаморфология поверхноститонкие пленкиэлектрические свойстваkesteritegrowth mechanismssurface morphologythin filmselectrical propertiesTechnical Report