Єрьоменко, Юрій СергійовичЕременко, Юрий СергеевичYeromenko, Yurii SerhiiovychВозний, Андрій АндрійовичВозный, Андрей АндреевичVoznyi, Andrii AndriiovychОпанасюк, Анатолій СергійовичОпанасюк, Анатолий СергеевичOpanasiuk, Anatolii SerhiiovychХрипунов, Г.С.Зайцев, Р.В.2018-01-312018-01-312017Фотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xS / Ю.С. Єрьоменко, А.А. Возний, А.С. Опанасюк [та ін.] // IX Українсько-польська науково-практична конференція “Електроніка та інформаційні технології” (ЕЛІТ-2017), (Львів-Чинадієво, 28-31 серпня 2017 р.). - Львів: ЛНУ ім. І. Франка0000-0002-1888-39350000-0002-9153-8097http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66341В наш час обмеженість та вичерпність природніх ресурсів приводить до того, що стрімко зростає інтерес до відновлювальних джерел енергії. Серед них найбільш екологічно чистим та доступним являється енергія сонця. Уже декілька десятків років, як людство навчилося перетворювати сонячну енергію за рахунок масивних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) на основі кремнію, арсеніду галію та деяких інших матеріалів.ukcneгетероперехідгетеропереходheterojunctionтонкі плівкитонкие пленкиthin filmsФотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xSTheses