Олефіренко, В.В.2024-07-032024-07-032024Олефіренко В. В. Комп'ютерне моделювання та застосування одновимірних польових транзисторів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024. 34 с.https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96006Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв. Мета роботи полягає у комп'ютерному моделюванні структури та характеристик польових транзисторів із каналом у вигляді нанодротів карбіду кремнію для вивчення їх температурних характеристик та потенціалу для електронних пристроїв. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення комп’ютерних моделей, які враховують особливості транспорту носіїв заряду в польових транзисторах із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію; - аналіз температурних залежностей робочих характеристик польових транзисторів із каналами у вигляді нанотдротів карбіду кремнію Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У роботі розглядаються технологічні виклики, пов'язані з виробництвом та інтеграцією нанодротів карбіду кремнію в електронні пристрої, а також можливі шляхи подолання цих викликів. Досліджується потенціал нанодротів карбіду кремнію для реалізації низькоенергетичних пристроїв, що можуть забезпечити покращену функціональність та ефективність.ukcneнанодрітпольовий транзисторкомп’ютерна симуляціяелектричні параметритемпературна стійкістьnanowirefield-effect transistorcomputer simulationelectrical parameterstemperature stabilityBachelous paper