Сидоренко, Р.Г.2022-06-272022-06-272022Сидоренко Р. Г. Приладово-технологічне моделювання FET’s транзисторів на основі нанострічок : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 – електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : КІ СумДУ, 2022. 47 с.https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88130Об’єктом дослiдження квалiфiкацiйної роботи є особливості транспорту носiїв заряду польових транзисторiв з каналами у виглядi нанострічок. Мета роботи полягає у дослiдженнi впливу масштабування на електричні параметри польових транзисторiв з каналами у виглядi 2D напівпровідників. Робота складається iз вступу, трьох роздiлiв основної частини та висновкiв. У першому роздiлi наведено огляд характеристик транзисторів із каналами у вигляді 2D напівпровідників. У другому роздiлi розглядається методика моделювання структур польового транзистора з каналом у вигляді MoS2 за допомогою програмного середовища Silvaco TCAD та відповідний програмний код. У третьому роздiлi наведено результати дослідження робочих характеристик польового транзистора з каналом у вигляді MoS2, отриманi результати свідчать про бiльш високу їх продуктивність, ніж приладів з каналами у вигляді вуглецевих нанотрубок.ukcneпольовий транзисторполевой транзисторfield-effect transistorканалchannelнанострічкананолентаnanobandвольт-амперна характеристикавольт-амперная характеристикаvolt-ampere characteristicрухливістьподвижностьmobilityBachelous paper