Zikrillaev, N.F.Mavlonov, G.H.Trabzon, L.Isamov, S.B.Abduganiev, Y.A.Ibodullaev, Sh.N.Kushiev, G.A.2024-01-032024-01-032023N.F. Zikrillaev, G.H. Mavlonov, L. Trabzon, et al., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 6, 06001 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06001https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94030Методом Ван-дер-Пау (ВДП) досліджено електричні параметри дифузійно легованих атомами європію зразків кремнію. Експериментальні результати, зокрема морфологію поверхні, досліджували за допомогою атомно-силового мікроскопа (АСМ). Стала ґратки матеріалів була розрахована за допомогою закону Брегга-Брентано з використанням рентгенівської дифракції на рентгенограмі зразка Si˂P,Eu˃.The electrical parameters of silicon samples diffusion doped by europium impurity atoms were studied by Van der Pauw (VDP) method. The experimental results were examined, particularly the surface morphology using an Atomic Force Microscope (AFM). The lattice constant of the materials was calculated with the help of Bragg-Brentano`s law using X-ray diffraction on the XRD pattern of the Si˂P,Eu˃ sample.eninc10AFMXRDБрегг-Брентанорентгенівське випромінюваннястала ґраткиіндекс Міллеракут БреггаBragg-BrentanoX-rayslattice constantMiller indexBragg angleArticle