Опанасюк, Анатолій СергійовичОпанасюк, Анатолий СергеевичOpanasiuk, Anatolii SerhiiovychГнатенко, Юрій ПавловичГнатенко, Юрий ПавловичHnatenko, Yurii PavlovychФарина, Іван ОлександровичФарина, Иван АлександровичFaryna, Ivan OleksandrovychБуківський, Петро МиколайовичБукивский, Петр НиколаевичBukivskyi, Petro MykolaiovychКурбатов, Денис ІгоровичКурбатов, Денис ИгоревичKurbatov, Denys IhorovychКосяк, Володимир ВолодимировичКосяк, Владимир ВладимировичKosiak, Volodymyr VolodymyrovychОпанасюк, Надія МиколаївнаОпанасюк, Надежда НиколаевнаOpanasiuk, Nadiia MykolaivnaДанильченко, Сергій МиколайовичДанильченко, Сергей НиколаевичDanylchenko, Serhii MykolaiovychІващенко, Максим МиколайовичИващенко, Максим НиколаевичIvashchenko, Maksym MykolaiovychКлимов, Олексій Володимирович2012-07-122012-07-122011Отримання та дослідження плівок телериду кадмію і трердих розчинів на його основі для сонячних елементів та детекторів випромінювання : звіт про НДР (проміжний) / Кер. А.С. Опанасюк. - Суми : Сумський державний університет, 2011. - 84 с.0000-0002-1888-39350000-0002-2754-63670000-0002-8173-39480000-0002-4611-0956http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27229Об’єкт досліджень: процеси структуро- та фазоутворення у тонких і товстих плівках CdTe та Cd1-xMnxTe, одержаних методом квазізамкненого об’єма (КЗО) на неорієнтуючих підклaдкaх і підшарах інших халькогенідів, їх вплив на оптичні, люмінесцентні, електричні властивості шарів, ансамбль точкових дефектів (ТД) мaтеріaлу. Предмет досліджень: структурні, оптичні, люмінесцентні, електрофізичні властивості, елементний склад та ансамбль ТД вакуумних конденсатів CdTe та Cd1-xMnxTe, буферних і віконних шарів, створення приладових структур на основі гетеропереходів та структур метал – напівпровідник. Мета роботи: З’ясування можливості використання товстоплівкових полікристалічних шарів CdTe та Cd1-xMnxTe для детектування жорсткого випромінювання, тонкоплівкових конденсатів для створення адсорбуючих шарів фотодетекторів і сонячних елементів. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик базових шарів на основі CdTe та Cd1-xMnxTe для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки. У роботі отримані тонкі та товсті плівки CdTe та Cd1-xMnxTe високої структурної якості. Дослідження морфології поверхні плівок, їх фазового складу та структурних особливостей свідчать, що шари отримані в оптимальних фізико-технологічних умовах, завдяки великому розміру зерен, стовбчастій структурі, однофазності, можуть бути з успіхом використані як матеріал поглинаючих шарів детекторів жорсткого випромінювання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27229ukcneтверді розчиниплівкидетекторисонячні елементимеханізми ростуструктурафотолюмінесценціяансамбль точкових дефектівквазіхімічні розрахункиTechnical Report