Гончаров, Олександр АндрійовичГончаров, Александр АндреевичHoncharov, Oleksandr AndriiovychЮнда, Андрій МиколайовичЮнда, Андрей НиколаевичYunda, Andrii MykolaiovychБуранич, Володимир ВолодимировичБуранич, Владимир ВладимировичBuranych, Volodymyr VolodymyrovychШелест, Ігор ВладиславовичШелест, Игорь ВладиславовичShelest, Ihor VladyslavovychЛобода, В.Б.2018-10-302018-10-302018Effect of RF-magnetron Sputtering Parameters on the Structure of Hafnium Diboride Films [Текст] / A.A. Goncharov, A.N. Yunda, V.V. Buranich [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03002. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03002.0000-0002-9275-0073http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69262The study reports about effect of energy factor on the structure formation of nanocrystalline hafnium diboride films. It was shown, that in the magnetron sputtering the change of energy density Ebi delivered to growing film by bombarding ions occurring due to changing in substrate bias potential Us and ion current density js, leads to the formation of hafnium diboride films with various structural states from nanoclustered to nanocrystalline with a growth texture in plane (0.01) and nanocrystallites size from 2.3 to 20 nm respectively.Исследовано влияние энергетического фактора на формирование структуры нанокристаллических пленок диборида гафния. Показано, что при магнетронном распылении, изменение плотности энергии Ebi, доставляемой растущей пленке бомбардирующими ионами, за счет изменения потенциала смещения Us и плотности ионного тока js, на подложке приводит к формированию пленок диборида гафния различного структурного состояния от нанокластерного до нанокристаллического с текстурой роста нормалью к плоскости (0.01) и размером нанокристаллитов от 2,3 до 20 нм соответственно.Досліджено вплив енергетичного фактора на формування структури нанокристалічних плівок дибориду гафнію. Показано, що при магнетронному розпиленні, зміна густини енергії Ebi, що постачається зростаючій плівці бомбардуючими іонами, за рахунок зміни потенціалу зміщення Us, та щільності іонного струму js, призводить до формування плівок дибориду гафнію різного структурного стану від нанокластерного до нанокристалічного із текстурою зростання нормаллю до площини (0.01) та розміром нанокристалітів від 2,3 до 20 нм відповідно.encnemagnetron dischargehafnium diboridebias potentialstructureion currentмагнетронное распылениедиборид гафнияпотенциал смещенияструктураионный токмагнетронне розпиленнядиборид гафнiяпотенціал зміщенняіонний струмArticle