Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78261
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Single Electron Transistor Based on Endohedral Metallofullerenes Me@C60 (Me = Li, Na, K)
Other Titles Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K)
Authors Sergeyev, D.
ORCID
Keywords одноелектронний транзистор
фулерен
діаграма стійкості заряду
кулонівський діамант
повна енергія
single electron transistor
fullerene
endohedral fullerene
charge stability diagram
coulomb diamond
total energy
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78261
Publisher Sumy State University
License
Citation Sergeyev, D. Single Electron Transistor Based on Endohedral Metallofullerenes Me@C60 (Me = Li, Na, K) [Текст] / D. Sergeyev // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 3. – 03017. – DOI: 10.21272/jnep.12(3).03017.
Abstract У роботі в рамках теорії функціональної щільності за допомогою моделювання досліджено транспортні властивості одноелектронного транзистора (SET) на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K). Оптимізація молекул Li@C60, Na@C60, K@C60 проводилася використовуючи обміннокореляційний функціонал Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) та узагальнене наближення градієнта (GGA), що дозволило найбільш точно описати подібні структури. Розраховано електростатичний різницевий потенціал, спектр молекулярної енергії та повну енергію SET на основі Me@C60. Було встановлено, що SET на основі K@C60 є більш стійким, ніж інші розглянуті SET на основі C60, Li@C60, Na@C60. Визначаються залежності повної енергії молекул Me@C60 (Me = Li, Na, K) від їх повного заряду, а також залежності повної енергії від напруги затвора Me@C60-SET. Через нестабільність стану малих молекул з додатковими електронами більше двох, під час моделювання величини – 2, – 1, 0, 1, 2 були обрані як повні електричні заряди для кожної молекули. Показано, що енергія негативно зарядженого розглянутого металофулерена нижча, ніж енергія нейтрального, і навпаки, енергія позитивно зарядженого металофулерена більша, ніж енергія нейтрального. Було виявлено, що при негативних напругах затвора транзистора стани позитивного заряду (+ 1, + 2) є більш стійкими порівняно із станами негативного заряду (– 1, – 2) через зміщення HOMO (вища заповнена молекулярна орбіталь) та LUMO (нижча незайнята молекулярна орбіталь) зі зміною напруги затвора. Діаграми стійкості SET на основі С60, Me@C60 були проаналізовані. Також було показано, що площа SET на основі кулонівського діаманта на діаграмі стійкості залежить від радіуса інкапсульованого атома. Отримані результати можуть бути корисними для розрахунку нових типів SET на основі металофулеренів.
In this work, within the framework of the density functional theory, the transport properties of a single-electron transistor (SET) based on metallofullerenes Me@C60 (Me  Li, Na, K) were investigated by simulation. The optimization of Li@C60, Na@C60, K@C60 molecules was carried out using the Perdew-BurkeErnzerhof (PBE) exchange-correlation functional and the generalized gradient approximation (GGA), which allows the most accurate description of such structures. Electrostatic difference potential, molecular energy spectrum, and total energy of a SET based on Me@C60 were calculated. It was found that a SET based on K@C60 is more stable than other considered SETs based on C60, Li@C60, Na@C60. The dependences of the total energy of molecules Me@C60 (Me  Li, Na, K) on their total charge are determined, as well as the dependences of the total energy on the gate voltage Me@C60-SET. Due to the instability of the state of small molecules with additional electrons of more than two, during the simulation, the values of – 2, – 1, 0, 1, 2 were chosen as the total electric charges for each molecule. It is shown that the energy of a negatively charged metallofullerene under consideration is lower than that of a neutral one, and vice versa, the energy of a positively charged metallofullerene is greater than that of a neutral one. It was found that at negative transistor gate voltages, positive charge states (+ 1, + 2) are more stable compared to negative charge states (– 1, – 2) due to a shift in the HOMO (highest occupied molecular orbital) and LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) with a change in gate voltage. The stability diagrams of SETs based on С60, Me@C60 were analyzed, and it was also shown that the area of the Coulomb diamond SET on the stability diagram depends on the radius of the encapsulated atom. The results obtained can be useful in the calculation of new types of SETs based on metallofullerenes.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Belgium Belgium
691481
China China
-1556343817
France France
1
Germany Germany
98820
Greece Greece
696
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
1
Iraq Iraq
25516366
Ireland Ireland
197641
Italy Italy
88
Japan Japan
1144931253
Lithuania Lithuania
1
Norway Norway
1
South Korea South Korea
1
Spain Spain
1
Taiwan Taiwan
9312140
Ukraine Ukraine
-1011384875
United Kingdom United Kingdom
96197967
United States United States
1983633902
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
704

Downloads

China China
1
Germany Germany
1
India India
9312139
Iraq Iraq
25516367
Italy Italy
1
Kazakhstan Kazakhstan
-1020551867
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Singapore Singapore
1
Taiwan Taiwan
197639
Ukraine Ukraine
577121697
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-1020551867
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Sergeyev_jnep_3_2020.pdf 795,11 kB Adobe PDF -1428955883

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.