Функціональний металевий елемент гнучкої електроніки спін-клапанного типу

Шабельник, Юрій Михайлович; Чешко, Ірина Володимирівна; Логвинов, Андрій Миколайович; Ткач, Олена Петрівна; Проценко, Сергій Іванович

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78837

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Функціональний металевий елемент гнучкої електроніки спін-клапанного типу
Authors	Shabelnyk, Yurii Mykhailovych Cheshko, Iryna Volodymyrivna Lohvynov, Andrii Mykolaiovych Tkach, Olena Petrivna Protsenko, Serhii Ivanovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-7516-5518 http://orcid.org/0000-0002-1585-6712 http://orcid.org/0000-0001-5496-3345 http://orcid.org/0000-0003-3207-2490 http://orcid.org/0000-0002-8070-1610
Keywords	елемент гнучкої електроніки спін-клапанного типу элемент гибкой электроники спин-клапанного типа element of flexible electronics of spin-valve type багатошарова металева плівка многослойная металлическая пленка multilayer metal film діелектрична підкладка диэлектрическая подложка dielectric substrate
Type	Patent
Date of Issue	2019
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78837
Publisher	Міністерство економічного розвитку і торгівлі України
License	In Copyright
Citation	Пат. 136613 U Україна МПК G01R 33/09 (2006.01). Функціональний металевий елемент гнучкої електроніки спін-клапанного типу / Ю.М. Шабельник, І.В. Чешко, А.М. Логвинов та ін. (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u 201902456; заявл. 13.03.2019; опубл. 27.08.2019, бюл. № 16.
Abstract	Функціональний металевий елемент гнучкої електроніки спін-клапанного типу, що виконаний у вигляді паралелепіпеда із багатошарової металевої плівки, що складається з магнітних і немагнітних шарів металів, на діелектричній підкладці, який відрізняється тим, що багатошарова металева плівка сформована з немагнітного адгезійного шару Сr товщиною 3 нм, двох контактних немагнітних шарів (нижнього і захисного верхнього) Аu товщиною по 10 нм, нижнього функціонального магнітного шару Со товщиною 20 нм, додатково відпаленого до 950 K, верхнього функціонального магнітного шару, виконаного у вигляді мультишару [Со/Сu]n, в якому Со і Сu мають товщину по 3 нм, де n=4-14 кількість повторів фрагменту мультишару, а також немагнітного шару Сu товщиною 6 нм, та отримана методом пошарової конденсації з наступною термообробкою до температури Tв=700 K, причому діелектрична підкладка виконана із тефлону товщиною від 0,5 до 2 мм.
Appears in Collections:	Патенти