Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління

Іващенко, Максим Миколайович; Курбатов, Денис Ігорович; Д`яченко, Олексій Вікторович; Шамардін, Артем Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Возний, Андрій Андрійович; Доброжан, Олександр Анатолійович

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78971

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління
Other Titles	Комплексний аналіз і оптимізація структурних, оптичних та електрофізичних властивостей плівок кестеритів групи I2-II-IV-VI4
Authors	Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych Kurbatov, Denys Ihorovych Diachenko, Oleksii Viktorovych Shamardin, Artem Volodymyrovych Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych Возний, Андрій Андрійович Voznyi, Andrii Andriiovych Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-4611-0956 http://orcid.org/0000-0002-2754-6367 http://orcid.org/0000-0003-2312-5255 http://orcid.org/0000-0002-6866-0414 http://orcid.org/0000-0001-9238-7596
Keywords	електричні властивості электрические свойства electrical properties механізми росту механизмы роста growth mechanisms тонкі плівки тонкие пленки thin films фазовий аналіз фазовый анализ phase analysis хімічний склад химический состав chemical composition
Type	Technical Report
Date of Issue	2019
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/78971
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління [Текст] : Комплексний аналіз і оптимізація структурних, оптичних та електрофізичних властивостей плівок кестеритів групи I2-II-IV-VI4: звіт про НДР (проміжний) / кер. М. М. Іващенко. — Суми : СумДУ, 2019. — 51 с.
Abstract	Сонячні елементи на основі тонких плівок селеніду міді індію галію (CIGS) і телуриду кадмію (CdTe) свого часу стали більш дешевою альтернативою сонячним елементам на основі кремнію. Сучасні технології, що використовують в якості поглиначів CIGS та CdTe, досягли ефективності перетворювання сонячної енергії в лабораторних умовах 23,3% та 22,1% [1], відповідно, і вже перейшли в комерційне використання. Однак, незважаючи на значні успіхи, залучення токсичних металів Cd і рідкісних металів індію (In), галію (Ga) та телуру (Te) в композицію, є головною перешкодою для широкого використання цих технологій в майбутньому.
Appears in Collections:	Звіти з наукових досліджень