Напівпровідникові лазери як елементи сучасних електронних систем

Abstract

Мета кваліфікаційної роботи магістра полягала у вивченні фізичних та конструктивно-технологічних принципів функціонування лазерних діодів різного функціонального призначення та проведенні розрахунків параметрів діодного лазера. У кваліфікаційній роботі магістра розглянуті питання стосовно фізичних принципів функціонування, особливостей конструкції, параметрів і характеристик діодних лазерів як елементів сучасних електронних систем. Показано, що вплив лазерного випромінювання на фізичні та біологічні об’єкти заснований на використанні стимульованого електромагнітного випромінювання, отриманого від робочої речовини в результаті дії на атоми електромагнітної енергії зовнішнього джерела. Стимульоване випромінювання має наступні характеристики: когерентність; мала розбіжність променя; висока щільність потужності. Оптичний спектр лазерних діодів залежить від конкретних характеристик оптичного резонатора лазера. У напівпровідникових лазерів центральна генеруюча частота залежить від щільності носіїв в активній області, яка є функцією струму; флуктуацией струму, що приводить до зміни частоти. Центральна довжина хвилі лазерного діода прямо пропорційна його робочій температурі.