Organic Field Effect Transistor Based on Adaptive Neuro-Fuzzy Inference System

Abstract

Органічні польові транзистори (OFET) останнім часом викликають великий науковий інтерес, а їх функціональність зростає. Моделювання пристрою було виконано з використанням кінцевого елементу двовимірного моделювання дифузійного дрейфу, отримані результати порівнюються з експериментальними даними, і між ними спостерігається хороша відповідність. У даній роботі представлено метод моделювання транзисторів OFET на основі підходу адаптивної мережевої системи нечіткого висновку (ANFIS). Вихідні дані для навчання ANFIS були отримані за допомогою симулятора пристроїв Atlas 2D. Автори імпортували модель ANFIS у симулятор схеми PSPICE, результати моделювання розробленої підсхеми ANFIS показали, що запропонована модель підходу на основі нечіткої логіки підходить для включення в PSPICE-подібні інструменти для моделювання схем транзисторів OFET.

Organic Field-Effect Transistors (OFETs) attract much interest recently and their proficiency and hence applications are being enhanced increasingly. The device simulation was performed using finite element two dimensional drift-diffusion simulations, the results obtained are compared with experiments data and a good match has been observed between them. This paper introduces a method for modeling the OFET based on Adaptive Network Fuzzy Inference System (ANFIS) approach, the required data for training of ANFIS has been obtained using Atlas 2D device simulator. Finally, we imported the ANFIS model in a circuit simulator like PSPICE, simulation results of the developed ANFIS subcircuit have indicated that the proposed fuzzy logic based approach model is suitable to be incorporated in PSPICE-like tools for OFET circuits simulation.