Оптичні характеристики та склад плівок Cd1 - xMnxTe отриманих методом квазізамкненого об'єму

Косяк, Володимир Володимирович; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Коваль, П.В.; Фочук, П.М.; Старіков, В.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Оптичні характеристики та склад плівок Cd1 - xMnxTe отриманих методом квазізамкненого об'єму
Authors	Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Коваль, П.В. Фочук, П.М. Старіков, В.В.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	плівки твердого розчину пленки твердого раствора film solid solution коефіцієнт пропускання коэффициент пропускания transmittance coefficient коефіцієнт відбиття коэффициент отражения reflection coefficient ширина забороненої зони ширина запрещенной зоны
Type	Article
Date of Issue	2011
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587
Publisher	Видавництво СумДУ
License
Citation	Оптичні характеристики та склад плівок Cd1 - xMnxTe отриманих методом квазізамкненого об'єму [Текст] / В.В. Косяк, А.С. Опанасюк, П.В. Коваль та ін. // Журнал нано- та електронної фізики. — 2011. — Т.3, №2. — С.48-58.
Abstract	Проведено дослідження оптичних характеристик плівок Cd1 – xMnxTe, отриманих методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі. Вимірювання здійснювалися методами спектрофотометричного аналізу поблизу «червоної межі» фотоактивності напівпровідника. В результаті отримані спектральні розподіли коефіцієнтів пропускання Т(λ), відбиття R(λ), поглинання α(λ) плівок та розрахована ширина забороненої зони матеріалу. Значення ширини забороненої зони було використане для визначення вмісту марганцю у конденсатах в залежності від фізико-технологічних умов їх отримання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587 Study of the optical properties of Cd1 – xMnxTe films obtained by the close spaced sublimation technique was carried out. Measuring of the optical characteristics of the layers was performed by the spectrophotometric analysis method near the “red boundary” of the semiconductor photoactivity. This research allowed to obtain the spectrum distributions of the transmission T(O), reflection R(O) and absorption D(O) coefficients of the films as well as estimate the band-gap energy of the compound. The values of the band-gap energy were used for determination of manganese concen-trations in the films depending on the growth conditions. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)