Асимметричность плотности распределения объемного неcкомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода

Мазинов, А.С.; Шевченко, А.И.; Быков, М.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Асимметричность плотности распределения объемного неcкомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода
Authors	Мазинов, А.С. Шевченко, А.И. Быков, М.А.
ORCID
Keywords	мелкозалегающий p-n переход профиль легирования кристалла коэффициент диффузии энергия активации диффузии плотность распределения заряда нескомпенсированный заряд p-n перехода
Type	Article
Date of Issue	2012
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659
Publisher	Сумской государственный университет
License
Citation	А.С. Мазинов, А.И. Шевченко, М.А.Быков, Ж. Нано- Электрон. Физ. 4 № 3, 03026 (2012)
Abstract	В работе рассмотрены особенности формирования мелкозалегающего перехода и его расчета для создания фотогальванического элемента на основе монокристаллического кремния с фронтальным легированным бором. Показана неоднозначность расчетных профилей перекомпенсирующей примеси, которая зависит от точности определения констант диффузионных уравнений. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)