Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару

Abstract

Досліджені фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe, в яких фронтальний шар In2O3 є наноструктурованим. Виявлено, що спектри фоточутливості таких гетеропереходи істотно залежать від по- верхневої топології оксиду. Це свідчить про те, що оксид в парі з напівпровідниковою підкладкою відіграє не лише роль активної компоненти структури, але і одночасно служить комірчастим дифракційним елементом. Поверхнева топологія оксиду досліджувалася за допомогою атомно-силового мікрос- копа. За різних умов окислення InSe поверхня зразків містила наноформування переважно у формі наноголок. Їх структура мала як невпорядкований, так і впорядкований характер. Оптичний розмір- ний ефект в плівці оксиду виявлений завдяки поєднанню властивостей наноструктуризованої повер- хні In2O3 і анізотропного поглинання світла в InSe. Чим вище відхилення падаючого світла від його нормального напрямку, викликане наноструктурованою поверхнею оксиду, тим більші зміни у фото- генерації носіїв в анізотропному напівпровіднику. Ці зміни полягали в розширенні смуги фотовідгу- ку, а також в особливостях поведінки екситонної лінії в спектрі гетеропереходу. Чим вище густина і впорядкування наноголок, тим більше довгохвильовий зсув смуги фотовідгуку і інтенсивніший екси- тонний пік в спектрі. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35580

Исследованы фоточувствительные гетеропереходы n-In2O3 / p-InSe, в которых фронтальный слой In2O3 является наноструктурированным. Выявлено, что спектры фоточувствительности таких гетеро- переходов существенно зависят от поверхностной топологии оксида. Это свидетельствует о том, что ок- сид в паре с полупроводниковой подкладкой играет не только роль активной компоненты структуры, но и одновременно служит ячеистым дифракционным элементом. Поверхностная топология оксида исследовалась с помощью атомно-силового микроскопа. При разных условиях окисление InSe поверх- ность образцов содержала наноформирования преимущественно в форме наноигл. Их структура име- ла как неупорядоченный, так и упорядоченный характер. Оптический размерный эффект в пленке оксида выявлен благодаря сочетанию свойств наноструктурированной поверхности In2O3 и анизо- тропного поглощения света в InSe. Чем высшее отклонение падающего света от его нормального направления, вызванное наноструктурированной поверхностью оксида, тем большие изменения в фо- тогенерации носителей в анизотропном полупроводнике. Эти изменения заключались в расширении полосы фотоответа, а также в особенностях поведения экситонной линии в спектре гетероперехода. Чем выше плотность и упорядочение наноигл, тем более длинноволновой сдвиг полосы фотоответа и более интенсивный экситонный пик в спектре. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35580

We report on photosensitive n-In2O3 / p-InSe heterojunctions with nanostructured In2O3 frontal layer. It was established that photoresponse spectra of the heterojunctions significantly depend on the surface topology of the oxide. this means that the oxide with semiconductor substrate is not only an active component of the structure, but also serves as a cell diffraction material. Surface topology of the oxide was studied by means of the atomic force microscope. At various conditions of oxidation of InSe the surface of the samples contained nanoformations preferably in the form of nanoneedles. Their location has both a disordered and ordered character. A dimensional optical effect in the oxide was revealed due to the anisotropic light absorption in InSe. The higher deviation of incident light from its normal direction due to a nanostructured surface is, the higher variation in the generation of carriers in the semiconductor is. These changes consist in the energy broadening of the heterojunction photoresponse spectrum as well as in the peculiarities of the excitonic line. The higher density and ordering of the nanoneedles on the oxide surface is, the higher long-wave shift and more intensive excitonic peak in the spectrum takes place. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35580