Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge

Abstract

Досліджено розсіяння електронів в чотирьох, двох та однодолинній L1 моделі зони провідності мо- нокристалів германію. На основі теорії анізотропного розсіяння та одержаних експериментально тем- пературних залежностей питомого опору для чотирьохдолинної L1 моделі знайдено константи елект- рон-фононної взаємодії для оптичних Ξ430  4·108 еВ/см та міждолинних фононів Ξ320  1,4·108 еВ/см в n-Ge. Показано, що в чотирьохдолинній L1 моделі зони провідності n-Ge крім розсіяння електронів на акустичних фононах та іонах домішки необхідно враховувати також розсіяння електронів на оптич- них та міждолинних фононах. Для двох та однодолинної L1 моделі домінуючим є розсіяння електро- нів на акустичних фононах. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35837

The electron scattering in case four-ellipsoidal, two-ellipsoidal and single-ellipsoidal L1-model of conduction band of Germanium is investigated. The constants of electron-phonon interaction for optical Ξ430 = 4·108 eV/cm and intervalley phonon Ξ320 = 1,4·108 eV/cm on base of the theory of anisotropy scattering and experimental temperature dependences resistivity are defined. The scattering by optical and intervalley phonon is significant in four-ellipsoidal L1-model of conduction band of n-Ge is shown. The scattering by acoustic phonons is dominated in two and single-valley L1-model. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35837

Исследовано рассеяние электронов в четирѐх, двух и однодолинной L1 модели зоны проводимости монокристаллов германия. На основании теории анизотропного рассеяния и полученных эксперимен- тально температурных зависимостей удельного сопротивления для четырѐхдолинной L1 модели найдено константы электрон-фононного взаимодействия для оптических Ξ430  4·108 еВ/см и междо- линных фононов Ξ320  1,4·108 еВ/см в n-Ge. Показано, что в четырѐхдолинной L1 модели зоны прово- димости n-Ge кроме рассеяния электронов на акустических фононах и ионах примеси необходимо учитывать также рассеяние электронов на оптических и междолинных фононах. Для двух и однодо- линной L1 модели доминирующим есть рассеяние электронов на акустических фононах. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35837