Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955
Title: Multiangular and Spectral Ellipsometry for Semiconductor Nanostructures Classification
Other Titles: Классификация мультиугловой и спектральной эллипсометрии для полупроводниковых наноструктур
Класифікація мультикутової та спектральної еліпсометрії для напівпровідникових наноструктур
Authors: Goloborodko, A.A.
Epov, M.V
Robur, L.Y
Rodionova, T.V.
Keywords: Polysilicon film
Spectral ellipsometry
Reflection coefficient
Refraction index
Absorption index
Полікремнієва плівка
Спектральна еліпсометрія
Коефіцієнт відбиття
Показник заломлення
Показник поглинання
Поликремниевая пленка
Спектральная эллипсометрия
Коеффициент отражения
Показатель преломления
показатель поглощения
Issue Year: 2014
Publisher: Sumy State University
Citation: A.A. Goloborodko, M.V. Epov, L.Y. Robur, T.V. Rodionova, J. Nano- Electron. Phys. 6 No 2, 02002 (2014)
Abstract: Досліджені можливості багатопараметричного визначення напівпровідникових наноструктур на основі спектральних залежностей поляризованого випромінювання коефіцієнта відбиття Rp, Rs від кута падіння в діапазоні 200-800 нм. Експериментальні дані показали високі коефіцієнти чутливості відбивання кутової залежності від типу полікристалічних структур. Наявність додаткових спектральних екстремумів в залежності від заломлення і поглинання може бути пов'язане з розміром зерен по- лікристалічної структури і типу меж зерен. Показана можливість багатопараметричного дослідження. оптичних властивостей і товщини напівпровідникових шарів на кремнієвій підкладці. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955
Исследованы возможности многопараметрического определения полупроводниковых нанострук- тур на основе спектральных зависимостей поляризованного излучения коэффициента отражения Rp, Rs от угла падения в диапазоне 200-800 нм. Экспериментальные данные показали высокие коэффициенты чувствительности отражения угловой зависимости от типа поликристаллических структур. Наличие дополнительных спектральных экстремумов в зависимости от преломления и поглощения может быть связано с размером зерен поликристаллической структуры и типа границ зерен. Показана возможность многопараметрического исследования оптических свойств и толщины полупроводниковых слоев на кремниевой подложке. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955
The possibilities of multiparameter determination of semiconductor nanostructures based on spectral dependencies of polarized radiation reflection coefficient Rp, Rs on the incidence angle in the range of 200- 800 nm are investigated. Experimental data have shown high sensitivity of reflection coefficients angular dependence to the type of polycrystalline structures at the same film thickness. The presence of additional extremums in spectral dependence of refraction and absorption indexes is detected; this could be connected with grain size of polycrystalline structure and type of grain boundaries. The possibility of multiparameter optical research of properties and thickness of semiconductor layers on Si substrate is shown. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other64
Canada1
China56
Czech Republic2
Germany5
Spain1
Italy1
Kazakhstan1
Moldova2
Netherlands2
Russia21
Turkey3
Ukraine6
United States8
Downloads
Other51
China24
Germany2
Greece13
Iran1
Russia1
Ukraine4
United States2


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Multiangular and Spectral Ellipsometry.pdf364.73 kBAdobe PDF98Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.