Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38462
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Получение и некоторые особенности окисления наносистем Zn
Other Titles Preparation of Zn nanosystems and some peculiarities of their oxidation
Отримання та деякі особливості окислення наносистем Zn
Authors Latyshev, Vitalii Mykhailovych  
Korniushchenko, Hanna Serhiivna  
Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
ORCID http://orcid.org/0000-0003-1385-8981
http://orcid.org/0000-0002-2996-1003
Keywords Нанонити
Наносистемы
Цинк
Оксид цинка
Окисление
Магнетронное распыление
Пересыщение
Zn
ZnO
Нанонитки
Наносистеми
Цинк
Оксид цинку
Окислення
Магнетронне розпилення
Пересичення
Zn
ZnO
Nanowires
Nanosystems
Zinc
Zinc oxide
Oxidation
Magnetron sputtering
Saturating
Zn
ZnO
Type Article
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38462
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation В.М. Латышев, А.С. Корнющенко, В.И. Перекрестов, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 4, 04023 (2014)
Abstract Вивчені закономірності формування наносистем цинку при конденсації слабко пересичених парів у високочистому інертному середовищі при варіюванні таких технологічних параметрів, як потужність розряду магнетронного розпилювача та тиск робочого газу (Ar). За допомогою рентгенофазового аналізу і РЕМ-досліджень з’ясовано, що найбільш тонкі та взаємозв’язані нанонитки цинку формуються при тиску робочого газу 12 Па і потужності магнетронного розпилювача 30 Вт. Показано, що процеси окислення наносистем цинку з максимально можливим збереженням морфології вихідних структур можливі при використанні в якості окислювального середовища суміші газів CO2 і O2.
Изучены закономерности формирования наносистем цинка посредством конденсации слабопересыщенных паров в высокочистой инертной среде при варьировании таких технологических параметров, как мощность разряда магнетронного распылителя и давление рабочего газа (Ar). При помощи рентгенофазового анализа и РЭМ-исследований установлено, что наиболее тонкие и взаимосвязанные нанонити цинка формируются при давлении рабочего газа 12 Па и мощности разряда магнетронного распылителя 30 Вт. Показано, что процессы окисления наносистем цинка с максимально возможным сохранением морфологии исходных структур возможны при использовании в качестве окислительной среды смеси газов CO2 и O2.
The peculiarities of the zinc nanosystem formation by means of the low saturated vapor condensation in the high-clean inert medium with the variation of technological parameters, such as the magnetron sputtering discharge power and the plasma-forming gas pressure (Ar) have been studied. By means of the XRD- and the SEM-studies it is determined that the most thin and interconnected zinc nanowires are generated under the plasma-forming gas pressure of 12 Pa and the magnetron sputtering discharge power of 30 W. It is shown that the zinc nanosystem oxidation processes with the most possible preservation of the morphology of the initial structures are possible due to the use of CO2 and O2 gas mixture as an oxidizing medium.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
84305016
China China
8
Finland Finland
1
France France
38302
Germany Germany
219208
Ireland Ireland
634897534
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
38310
Russia Russia
1
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
1954152809
United Kingdom United Kingdom
132379
United States United States
1463964414
Unknown Country Unknown Country
87092

Downloads

China China
5
Germany Germany
2048425
India India
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
4
Ukraine Ukraine
1954152810
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-1209906250
Unknown Country Unknown Country
22

Files

File Size Format Downloads
Latyshev_Kornyushchenko_Perekrestov.pdf 471,17 kB Adobe PDF 746295020

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.