Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39068
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Морфология островковых систем, формирующихся при плавлении сплошных пленок Bi на Ge и SiO2 подложках
Other Titles Морфологія острівцевих систем, що формуються при плавленні суцільних плівок Bi на Ge та SiO2 підкладках
Morphology of Islet Systems Formed During Melting of Continuous Bi Films on Ge and SiO2 Substrates
Authors Крышталь, А.П.
Миненков, А.А.
Джус, С.С.
ORCID
Keywords Тонкие плѐнки
Смачивание
Распад пленки
Сканирующая электронная микроскопия
Тонкі плівки
Змочування
Розпад плівки
Сканувальна електронна мікроскопія
Thin films
Wetting
Film agglomeration
Scanning electron microscopy
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39068
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation А.П. Крышталь, А.А. Миненков, С.С. Джус, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01024 (2015)
Abstract Наводяться результати електронно-мікроскопічного дослідження масивів наночастинок, сформованих шляхом плавлення суцільних полікристалічних плівок Bi на аморфних Ge і SiO2 підкладках . Показано, що в результаті самоорганізації при плавленні вісмуту на інертній SiO2 підкладці формуються острівкові структури з малим розкидом частинок за розміром, і визначено зв'язок їх основних характеристик з товщиною вихідних плівок. Встановлено, що плавлення вісмуту на аморфній германієвій підкладці призводить до формування невпорядкованих масивів наночастинок, морфологічна структура яких визначається характером взаємодії компонентів на межі плівка-підкладка .
Приводятся результаты электронно-микроскопического исследования массивов наночастиц, сформированных путем плавления сплошных поликристаллических пленок Bi на аморфных Ge и SiO2 подложках. Установлено, что в результате самоорганизации при плавлении висмута на инертной SiO2 подложке формируются островковые структуры с малым разбросом частиц по размерам. Определена связь основных характеристик данных частиц с толщиной исходных пленок. Показано, что плавление висмута на аморфной германиевой подложке приводит к формированию неупорядоченных массивов наночастиц, морфологическая структура которых определяется характером взаимодействия компонентов на границе пленка-подложка.
The results of electron microscopic studies of arrays of nanoparticles formed by melting of solid polycrystalline Bi films on amorphous Ge and SiO2 substrates are presented. It has been shown that the islet structure with a small spread of particle’ size has formed as a result of self-organization during the melting of bismuth on an inert SiO2 substrate. The connection between the basic characteristics of these particles and the thickness of the initial films were determined. It has been shown that melting of bismuth on the amorphous germanium substrate leads to formation of disordered arrays of nanoparticles. The morphological structure of these ones depends on the nature of interaction between the components of the filmsubstrate interface
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Canada Canada
1
China China
1
Finland Finland
2
France France
1
Germany Germany
5
Greece Greece
1
Hungary Hungary
1
Iran Iran
1
Ireland Ireland
16201
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
973
Romania Romania
1
Russia Russia
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
103679
United Kingdom United Kingdom
53784
United States United States
589066
Unknown Country Unknown Country
103678

Downloads

China China
7
Germany Germany
2
Ireland Ireland
1
Russia Russia
5
Tunisia Tunisia
1
Ukraine Ukraine
310732
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
867400
Unknown Country Unknown Country
2

Files

File Size Format Downloads
Kryshtal.pdf 353,65 kB Adobe PDF 1178151

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.