Морфология островковых систем, формирующихся при плавлении сплошных пленок Bi на Ge и SiO2 подложках
No Thumbnail Available
Files
Date
2015
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Сумский государственный университет
Article
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
Наводяться результати електронно-мікроскопічного дослідження масивів наночастинок, сформованих шляхом плавлення суцільних полікристалічних плівок Bi на аморфних Ge і SiO2 підкладках .
Показано, що в результаті самоорганізації при плавленні вісмуту на інертній SiO2 підкладці формуються острівкові структури з малим розкидом частинок за розміром, і визначено зв'язок їх основних
характеристик з товщиною вихідних плівок. Встановлено, що плавлення вісмуту на аморфній германієвій підкладці призводить до формування невпорядкованих масивів наночастинок, морфологічна
структура яких визначається характером взаємодії компонентів на межі плівка-підкладка .
Приводятся результаты электронно-микроскопического исследования массивов наночастиц, сформированных путем плавления сплошных поликристаллических пленок Bi на аморфных Ge и SiO2 подложках. Установлено, что в результате самоорганизации при плавлении висмута на инертной SiO2 подложке формируются островковые структуры с малым разбросом частиц по размерам. Определена связь основных характеристик данных частиц с толщиной исходных пленок. Показано, что плавление висмута на аморфной германиевой подложке приводит к формированию неупорядоченных массивов наночастиц, морфологическая структура которых определяется характером взаимодействия компонентов на границе пленка-подложка.
The results of electron microscopic studies of arrays of nanoparticles formed by melting of solid polycrystalline Bi films on amorphous Ge and SiO2 substrates are presented. It has been shown that the islet structure with a small spread of particle’ size has formed as a result of self-organization during the melting of bismuth on an inert SiO2 substrate. The connection between the basic characteristics of these particles and the thickness of the initial films were determined. It has been shown that melting of bismuth on the amorphous germanium substrate leads to formation of disordered arrays of nanoparticles. The morphological structure of these ones depends on the nature of interaction between the components of the filmsubstrate interface
Приводятся результаты электронно-микроскопического исследования массивов наночастиц, сформированных путем плавления сплошных поликристаллических пленок Bi на аморфных Ge и SiO2 подложках. Установлено, что в результате самоорганизации при плавлении висмута на инертной SiO2 подложке формируются островковые структуры с малым разбросом частиц по размерам. Определена связь основных характеристик данных частиц с толщиной исходных пленок. Показано, что плавление висмута на аморфной германиевой подложке приводит к формированию неупорядоченных массивов наночастиц, морфологическая структура которых определяется характером взаимодействия компонентов на границе пленка-подложка.
The results of electron microscopic studies of arrays of nanoparticles formed by melting of solid polycrystalline Bi films on amorphous Ge and SiO2 substrates are presented. It has been shown that the islet structure with a small spread of particle’ size has formed as a result of self-organization during the melting of bismuth on an inert SiO2 substrate. The connection between the basic characteristics of these particles and the thickness of the initial films were determined. It has been shown that melting of bismuth on the amorphous germanium substrate leads to formation of disordered arrays of nanoparticles. The morphological structure of these ones depends on the nature of interaction between the components of the filmsubstrate interface
Keywords
Тонкие плѐнки, Смачивание, Распад пленки, Сканирующая электронная микроскопия, Тонкі плівки, Змочування, Розпад плівки, Сканувальна електронна мікроскопія, Thin films, Wetting, Film agglomeration, Scanning electron microscopy
Citation
А.П. Крышталь, А.А. Миненков, С.С. Джус, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01024 (2015)