Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44810
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Енергетична структура β´-фази кристалу Ag8SnSe6
Other Titles Energy Structure of β´-phase of Ag8SnSe6 Crystal
Энергетическая структура β´-фазы кристалла Ag8SnSe6
Authors Семків, І.В.
Лукіянець, Б.А.
Ільчук, Г.А.
Петрусь, Р.Ю.
Кашуба, А.І.
Чекайло, М.В.
ORCID
Keywords Халькогеніди
Аргіродит
Енергетична структура
Густина станів
Заборонена зона
Халькогениды
Аргиродит
Энергетическая структура
Плотность состояний
Запрещенная зона
Chalcogenides
Argyrodite
Energy structure
Density of state
Band gap
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44810
Publisher Сумський державний університет
License
Citation І.В. Семків, Б.А. Лукіянець та ін. Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 1, 01011 (2016)
Abstract За допомогою рентгенівської дифрактометрії досліджено кристалічну структуру аргіродиту Ag8SnSe6. Встановлено, що сполука кристалізується в орторомбічній гратці з параметрами a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. Проведено розрахунок зонної енергетичної структури β´- фази кристалу Ag8SnSe6 в усьому k-просторі. Встановлено, що β´-фаза кристала є – прямозонний напівпровідник з шириною забороненої зони Eg = 0,765 еВ, вершиною валентної зони та дном зони провідності, локалізованими в Г- точці. Вершину валентної зони формують d-орбіталі Ag, а дно зони провідності, в основному, сформоване p- орбіталями Ag із вкладом p-орбіталей Se та Sn.
С помощью рентгеновской дифрактометрии исследована кристаллическая структура аргиродита Ag8SnSe6. Установлено, что соединение кристаллизуется в орторомбической решетке с параметрами a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. Приведено результаты расчета зонно-энергетической структуры β´-фазы кристалла Ag8SnSe6 во всем k-пространстве. Установлено, что така фаза является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны Eg = 0,765 эВ с вершиной валентной зоны и дном зоны проводимости, локализованными в Г-точке. Вершину валентной зоны формируют d- орбитали Ag, а дно зоны проводимости в основном сформировано p- орбиталями Ag с вкладом p-орбиталей Se и Sn.
The crystal structure of Ag8SnSe6 was investigated using X-ray diffraction. Argyrodite Ag8SnSe6 crystallizes in the orthorhombic unit cell with the lattice parameters a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. The energy band structure of Ag8SnSe6 is calculated from the first principles within both the local density approximation (LDA) and the generalized gradient approximation (GGA). Theoretical calculation of the relative coordinates of the atoms in the unit cell good agree with experimental results. Argyrodite is semiconductor with a direct energy gap at G of 0,765 eV. The electron density of state were calculated. The bottom of the conduction band is predominantly formed by the Ag p-states with the lower contribution by the Sn and Se p-states.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
Canada Canada
1
China China
1
France France
4
Germany Germany
4
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
144232
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1429
Norway Norway
1
Russia Russia
1
Taiwan Taiwan
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
1770103
United Kingdom United Kingdom
890405
United States United States
6302162
Unknown Country Unknown Country
16

Downloads

China China
689755
Finland Finland
1
Germany Germany
3
India India
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
Russia Russia
1
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1
Tunisia Tunisia
1
Ukraine Ukraine
3495959
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
6302163
Unknown Country Unknown Country
16

Files

File Size Format Downloads
Semkiv_Lukiianets_Ilchuk_Petrus_Kashuba_Chekailo.pdf 445,27 kB Adobe PDF 10487905

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.