Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67430
Title: Модель нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску
Other Titles: The Model of Nucleation of Nanometer Structure of the Adatoms Under the Action of Comprehensive Pressure
Authors: Пелещак, Р.М.
Кузик, О.В.
Даньків, О.О.
Keywords: нуклеація
всебічний тиск
адсорбований атом
нанокластер
акустоелектронна взаємодія
adsorbed atom
nucleation
comprehensive pressure
nanocluster
acousto-electronic interaction
Issue Year: 2018
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Пелещак, Р.М. Модель нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску [Текст] / Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 1. – 01014. - DOI: 10.21272/jnep.10(1).01014.
Abstract: Розроблено теорію нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску з враху- ванням акустоелектронної взаємодії. Самоорганізація відбувається в результаті дефектно-деформаційної нестійкості, обумовленої самоузгодженою взаємодією адсорбованих атомів з поверхне- вою акустичною хвилею. У межах даної теорії досліджено вплив всебічного тиску та ступеня легуван- ня напівпровідника на умови формування і період нанометрової структури адатомів. Визначено пе- ріод нанометрової структури адатомів залежно від величини всебічного тиску, температури, середньої концентрації адатомів та електронів провідності. Встановлено, що збільшення тиску призводить до розширення температурних інтервалів, у межах яких формуються нанометрові структури адатомів, та зменшення їх періоду.
The theory of nucleation of nanometer structure of the adatoms under the action of comprehensive pressure taking into account acousto-electronic interaction is developed. Self-organization occurs as a result of defect-deformation instability caused by self-consistent interaction between the adsorbed atoms and the surface acoustic wave. Within this theory the influence of comprehensive pressure and doping degree of semiconductor on the conditions of formation and the period of nanometer structure of the adatoms is investigated. The period of nanometer structure of the adatoms depending on the value of comprehensive pressure, temperature, average concentration of the adatoms and conduction electrons is defined. It is established that the increase in pressure leads to expansion of temperature intervals within which nanometer structures of the adatoms are formed, and the decrease of their period.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67430
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other4
France2
Italy1
Downloads
Other1


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Peleshchak_jnep_V10_01014.pdf416.83 kBAdobe PDF1Download
Show full item record Recommend this item


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.