Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68658
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Использование вольфрама в качестве барьерного слоя в многослойных рентгеновских зеркалах
Other Titles Використання вольфраму як бар’єрного шару у багатошарових рентгенівських дзеркалах Sc/Si
Application of Tungsten as a Barrier Layer in Sc/Si Multilayer X-ray Mirrors
Authors Першин, Ю.П.
Чумак, В.С.
Зубарев, Е.Н.
Девизенко, А.Ю.
Кондратенко, В.В.
Seely, J.F.
ORCID
Keywords многослойное рентгеновское зеркало
перемешанные зоны
барьерные слои
уменьшение перемешивания
рост отражательной способности
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68658
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation Использование вольфрама в качестве барьерного слоя в многослойных рентгеновских зеркалах [Текст] / Ю.П. Першин, В.С. Чумак, Е.Н. Зубарев [и др.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т. 10, № 2. - 02032. - DOI: 10.21272/jnep.10(2).02032.
Abstract Методами рентгеновской дифракции (ƛ = 0,154 нм), просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов и рефлектометрии в мягкой рентгеновской области (ƛ = 25-50 нм) исследованы барьерные свойства слоев вольфрама толщиной 0,1-2,1 нм в многослойных рентгеновских зеркалах (МРЗ) Sc/W/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления. Показано, что слои вольфрама толщиной 0,6-0,8 нм отделяют слои Sc и Si и препятствуют образованию перемешанной зоны ScSi. Вольфрам, взаимодействуя со слоями Si, формирует аморфную прослойку, толщина которой меньше толщины перемешанных зон ScSi, образующихся в МРЗ Sc/Si без барьеров. При tw < 0,5 нм вольфрам на скандии не образует сплошную пленку. Введение барьерных слоев толщиной t = 0,3-0,8 нм приводит к росту отражательной способности в мягкой рентгеновской области (ƛ ~ 38 нм), по меньшей мере, в 2,5 раза по сравнению с МРЗ Sc/Si. Максимальный коэффициент отражения (R ~ 25%, ƛ ~ 38 нм) наблюдается при введении барьерных слоев толщиной tw ~ 0,54 нм. Обсуждаются пути дальнейшего усовершенствования технологии нанесения барьерных слоев и повышения отражательной способности МРЗ Sc/Si.
By methods of hard X-ray diffraction (ƛ = 0.154 nm), cross-sectional transmission electron microscopy and soft X-ray (ƛ = 25-50 nm) reflectometry the barrier characteristics of tungsten layers of tw = 0.1-2.1 nm thick in Sc/W/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) fabricated with DC magnetron sputtering are studied. Tungsten layers of 0.6-0.8 nm thick are shown to separate Sc and Si layers and prevent formation of ScSi intermixed zones. Tungsten interacts with silicon forming thinner silicide layers in comparison with original ScSi interlayers in Sc/Si MXMs without barriers. Barrier layers are not continuous at tw < 0,5 nm when deposited on Sc layers. Introduction of W-layers 0.3-0.8 nm thick increases reflectivity (ƛ ~ 38 nm) of Sc/W/Si MXMs at least by factor of 2.5 maximizing at R ~ 25 % at normal incidence (α = 5°). Further improvements in technology and reflectivity are discussed.
Методами рентгенівської дифракції (ƛ = 0,154 нм), просвічувальної електронної мікроскопії поперечних зрізів і рефлектометрії в м'якій рентгенівської області (ƛ = 25-50 нм) досліджені бар'єрні властивості шарів вольфраму товщиною 0,1-2,1 нм в багатошарових рентгенівських дзеркалах (БРД) Sc/W/Si, виготовлених методом прямоточного магнетронного розпилення. Показано, що шари вольфраму товщиною 0,6-0,8 нм відокремлюють шари Sc і Si і перешкоджають утворенню перемішаної зони ScSi. Вольфрам, взаємодіючи з шарами Si, формує аморфний прошарок, товщина якого менше товщини перемішаних зон ScSi, що утворюються в МРЗ Sc/Si без бар’єрів. При tw < 0,5 нм вольфрам на скандії не утворює суцільну плівку. Введення бар'єрних шарів товщиною t = 0,3-0,8 нм призводить до зростання відбивної здатності в м'якій рентгенівської області (ƛ ~ 38 нм), щонайменше, в 2,5 рази в порівнянні з МРЗ Sc/Si. Максимальний коефіцієнт відбиття (R ~ 25%, ƛ ~ 38 нм) спостерігається при введенні бар'єрних шарів товщиною tw ~ 0,54 нм. Обговорюються шляхи подальшого удосконалення технології нанесення бар'єрних шарів і підвищення відбивної здатності БРД Sc/Si.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
93256
Greece Greece
1
Ireland Ireland
2742
Lebanon Lebanon
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
228
Singapore Singapore
456912
Ukraine Ukraine
25704
United Kingdom United Kingdom
13252
United States United States
913823
Unknown Country Unknown Country
13

Downloads

Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
51310
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
456912
Unknown Country Unknown Country
1505934

Files

File Size Format Downloads
Pershyn_application.pdf 967.83 kB Adobe PDF 2014158

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.