Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72429
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Magnetic Quantum Effects in Electronic Semiconductors at Microwave-radiation Absorption
Other Titles Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням
Authors Gulyamov, G.
Erkaboev, U.I.
Gulyamov, A.G.
ORCID
Keywords Microwave magnetoabsorption oscillations
Gaussian function and derivative of the Fermi-Dirac function by energy
free electron gas
НВЧ магнітопоглинаючі коливання
Гаусова функція та похідна функції Фермі-Дірака за енергією
газ вільних електронів
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72429
Publisher Sumy State University
License
Citation Gulyamov, G. Magnetic Quantum Effects in Electronic Semiconductors at Microwave-radiation Absorption [Текст] / G. Gulyamov, U.I.rkaboev, A.G. Gulyamov // Журнал нано- та електронної фізики. – 2019. – Т.11, № 1. – 01020(6cc). - DOI: 10.21272/jnep.11(1).01020.
Abstract Simulation of the temperature dependence on the microwave magnetoabsorption oscillations in electronic semiconductors is conducted using the Gaussian function and derivative of the Fermi-Dirac function by energy. Gaussian distribution function and derivative of the Fermi-Dirac function by energy are compared at different temperatures. It is shown that the distribution of the Gauss function is much more efficient and more rapidly tends to an ideal Dirac δ-function than the derivative of the Fermi-Dirac function by energy. The temperature dependence of the spectral density of states in semiconductors is calculated at quantizing magnetic fields. An analytical expression is obtained for the density of states in a quantizing magnetic field for narrow-gap semiconductors. Graphs of the temperature dependence of the density of states for InAs are constructed in a quantizing magnetic field. Oscillations of the absorption of microwave radiation in semiconductors are considered at different temperatures. A new mathematical model has been created for microwave absorption oscillations in narrow-band semiconductors. Using this model, the dependence of quantum oscillation phenomena on microwave absorption and temperature is calculated in electron gases. Graphs of oscillations of the derivative of the absorbed power by the magnetic field strength are obtained for InAs. A three-dimensional image of the absorption of microwave radiation for semiconductors has been constructed with the Kane dispersion law. The microwave magnetoabsorption oscillation was calculated in narrow-gap electronic semiconductors at different temperatures using the Gauss function. Formula for the dependence of the microwave magnetoabsorption oscillations on the electric field strength of an electromagnetic wave and temperature is obtained with the parabolic and Kane dispersion law. The calculation results are compared with experimental data. The proposed model explains the experimental results in HgSe at different temperatures.
Моделювання температурної залежності НВЧ магнітопоглинання в електронних напівпровідниках проводиться за допомогою функції Гауса і похідної функції Фермі-Дірака. Функція розподілу Гауса і похідна функції Фермі-Дірака за енергією порівнюються при різних температурах. Показано, що розподіл функції Гауса набагато ефективніший і швидше прямує до ідеальної δ функції Дірака, ніж похідна функції Фермі-Дірака за енергією. Розраховано температурну залежність спектральної щільності станів у напівпровідниках при квантуванні магнітних полів. Отримано аналітичний вираз для густини станів у квантованому магнітному полі для вузькозонних напівпровідників. Побудовано графіки температурної залежності щільності станів для InAs від магнітного поля. Розглядаються коливання поглинання НВЧ-випромінювання в напівпровідниках при різних температурах. Створено нову математичну модель для поглинання НВЧ коливань у вузькосмугових напівпровідниках. Використовуючи цю модель, розрахована залежність квантових коливань від поглинання мікрохвиль і температури електронного газу. Для InAs отримані графіки коливань похідної поглиненої потужності від напруженості магнітного поля. Тривимірне зображення поглинання мікрохвильового випромінювання для напівпровідників було побудовано за допомогою закону дисперсії Кена. У вузькозонних електронних напівпровідниках при різних температурах з використанням функції Гауса розраховували НВЧ магнітопоглинання. Формулу для залежності НВЧ-магнітоадсорбційних коливань від напруженості електричного поля електромагнітної хвилі та температури отримано за допомогою параболічного та дисперсійного законів Кена. Результати розрахунків порівняно з експериментальними даними. Запропонована модель пояснює результати експерименту в HgSe при різних температурах.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
China China
1
Greece Greece
1
Hungary Hungary
1
India India
1
Iran Iran
1
Ireland Ireland
15512
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
244131
United Kingdom United Kingdom
122803
United States United States
3545446
Unknown Country Unknown Country
20
Uzbekistan Uzbekistan
488100
Vietnam Vietnam
2952

Downloads

India India
1
Indonesia Indonesia
3545446
Ireland Ireland
1
Israel Israel
1
Japan Japan
1
Kazakhstan Kazakhstan
10706
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Ukraine Ukraine
244132
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
3545447
Unknown Country Unknown Country
11
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Gulyamov_jnep_11_1_01020.pdf 375.86 kB Adobe PDF 7345750

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.