Моделювання процесів рекомбінації в напівпровідникових сполуках

Конончук, М.О.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92272

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Моделювання процесів рекомбінації в напівпровідникових сполуках
Other Titles	Recombination processes simulation in semiconductor compounds
Authors	Конончук, М.О.
ORCID
Keywords	CZTS ВАХ сонячний елемент фотоелектричні батареї SCAPS 3307 I-V-curve solar cell рhotoelectric сells
Type	Bachelous Paper
Date of Issue	2023
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92272
Publisher	Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету"
License	Copyright not evaluated
Citation	Конончук М. О. Моделювання процесів рекомбінації в напівпровідникових сполуках : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. М. М. Іващенко. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2023. 28 с.
Abstract	Об’єктом дослідження дипломної роботи є моделювання процесів рекомбінації та інших характеристик фотоелектричних перетворювачів. Мета роботи полягає у знаходженні напруги холостого ходу та коефіцієнта корисної дії (ККД). При виконанні роботи використовувалася програма SCAPS 3307 Визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю. Одним із шляхів подолання глобальної енергетичної кризи є масове використання наземних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії. На даний час найпоширенішими сонячними елементами (СЕ), що використовуються, є такі, які базуються на кремнієвих технологіях. Альтернативою їм є тонкоплівкові гетероперехідні ФЕП на основі прямо зонних напівпровідників. Тонкі плівкові фотоелектричні батареї досягли комерційної зрілості та надзвичайно високої ефективності, що робить їх конкурентоспроможними навіть за допомогою дешевих китайських кристалічних кремнієвих модулів. Однак деякі проблеми (пов'язані з наявністю токсичних та / або рідкісних елементів) все ще обмежують їх ринкову дифузію. З цієї причини були введені нові тонкоплівкові матеріали, такі як Cu2ZnSnS4. Дослідження так званих фотоелектричних елементів "наступного покоління" зосереджені на розробці економних, чистих джерел енергії. Одними з найбільш досліджених архітектур є сенсибілізовані, сенсибілізовані фотоелектричні елементи органічні та напівпровідникові матеріали. Незважаючи на отримані обнадійливі результати, все ще існують численні перешкоди, такі як відсутність довготривалої стабільності фотоелектричних елементів, неефективне завантаження барвників або квантових точок (КТ) як сенсибілізаторів, втрати носіїв за допомогою процесів хаотичної рекомбінації, неефективне вирівнювання смуги між матеріалами, і т. д., які потребують рішення для створення високоефективних, стабілізованих та дешевих фотоелектричних пристроїв.
Appears in Collections:	Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)