Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92272
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Моделювання процесів рекомбінації в напівпровідникових сполуках
Other Titles Recombination processes simulation in semiconductor compounds
Authors Конончук, М.О.
ORCID
Keywords CZTS
ВАХ
сонячний елемент
фотоелектричні батареї
SCAPS 3307
I-V-curve
solar cell
рhotoelectric сells
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92272
Publisher Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету"
License Copyright not evaluated
Citation Конончук М. О. Моделювання процесів рекомбінації в напівпровідникових сполуках : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. М. М. Іващенко. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2023. 28 с.
Abstract Об’єктом дослідження дипломної роботи є моделювання процесів рекомбінації та інших характеристик фотоелектричних перетворювачів. Мета роботи полягає у знаходженні напруги холостого ходу та коефіцієнта корисної дії (ККД). При виконанні роботи використовувалася програма SCAPS 3307 Визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю. Одним із шляхів подолання глобальної енергетичної кризи є масове використання наземних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії. На даний час найпоширенішими сонячними елементами (СЕ), що використовуються, є такі, які базуються на кремнієвих технологіях. Альтернативою їм є тонкоплівкові гетероперехідні ФЕП на основі прямо зонних напівпровідників. Тонкі плівкові фотоелектричні батареї досягли комерційної зрілості та надзвичайно високої ефективності, що робить їх конкурентоспроможними навіть за допомогою дешевих китайських кристалічних кремнієвих модулів. Однак деякі проблеми (пов'язані з наявністю токсичних та / або рідкісних елементів) все ще обмежують їх ринкову дифузію. З цієї причини були введені нові тонкоплівкові матеріали, такі як Cu2ZnSnS4. Дослідження так званих фотоелектричних елементів "наступного покоління" зосереджені на розробці економних, чистих джерел енергії. Одними з найбільш досліджених архітектур є сенсибілізовані, сенсибілізовані фотоелектричні елементи органічні та напівпровідникові матеріали. Незважаючи на отримані обнадійливі результати, все ще існують численні перешкоди, такі як відсутність довготривалої стабільності фотоелектричних елементів, неефективне завантаження барвників або квантових точок (КТ) як сенсибілізаторів, втрати носіїв за допомогою процесів хаотичної рекомбінації, неефективне вирівнювання смуги між матеріалами, і т. д., які потребують рішення для створення високоефективних, стабілізованих та дешевих фотоелектричних пристроїв.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)

Views

Australia Australia
1
China China
1
Ireland Ireland
6
South Korea South Korea
20
Spain Spain
1
Ukraine Ukraine
880
United Kingdom United Kingdom
82
United States United States
3581
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

Belgium Belgium
1
China China
2586
Greece Greece
1
Ukraine Ukraine
1595
United States United States
3583

Files

File Size Format Downloads
Kononchuk_bak_rob.pdf 1.08 MB Adobe PDF 7766

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.