Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Item
    Effect of Uniaxial Compression on Excitation Conditions and Parameters of Low-Frequency Auto-Oscillations of Current in Compensated Silicon
    (Sumy State University, 2025) Zikrillaev, N.F.; Sattorov, A.A.; Zikrillaev, X.F.; Kurbanova, U.Kh.; Norkulov, N.; Shoabdurakhimova, M.M.; Kushiev, G.A.; Abduganiev, Y.A.; Abdullaeva, N.
    У компенсованому кремнії, легованому домішками, які створюють глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні, виявлено низку цікавих фізичних явищ, що мають як наукове, так і практичне значення. Одним із таких явищ є низькочастотні автоколивання струму, які збуджуються за певних умов. У даній роботі розглядається вплив одноосного пружного стискання на параметри автоколивань струму. Дослідження проводились на зразках кремнію, легованих домішками марганцю, з орієнтацією по кристалографічних напрямках ˂111˃, ˂110˃ та ˂100˃. Встановлено, що характер зміни умов збудження та параметрів автоколивань (амплітуди, частоти) залежить від кристалографічного напряму. Особливу увагу привертає аномальна поведінка порогового електричного поля (Еₜₕ) і параметрів автоколивань у зразках з напрямком ˂100˃. Фізичний механізм зміни параметрів та умов збудження автоколивань пояснюється зміною населеності глибокого енергетичного рівня двічі іонізованими атомами марганцю. Аналіз отриманих результатів, у поєднанні з теоретичними уявленнями, дозволяє пояснити вплив одноосного стискання на поведінку автоколивань струму в таких структурах.
  • Item
    Optical Properties of GexSi1 – x Binary Compounds in Silicon
    (Sumy State University, 2023) Zikrillaev, N.F.; Kushiev, G.A.; Hamrokulov, Sh.I.; Abduganiev, Y.A.
    Використання альтернативних і відновлюваних джерел енергії в енергозабезпеченні в усьому світі викликає великий практичний інтерес. Зростання інтересу до них зумовлене екологічними міркуваннями, з одного боку, та обмеженістю традиційних вуглеводневих джерел енергії, з іншого. Особливе місце серед альтернативних і відновлюваних джерел енергії займають фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії, вивчення фізики, що стало окремим науковим напрямком фотовольтаїки. Розробка та створення фотоелементів на основі кремнію бінарними сполуками атомів германію GexSi1–x в об’ємі також становить особливий інтерес для вчених і спеціалістів. Оскільки виробництво кремнію з бінарними сполуками кремній-германій з певними електричними параметрами і структурою дозволяє значно розширити спектральну область чутливості фотоприймачів і ефективність фотоелементів на основі таких матеріалів.