Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
3 results
Search Results
Item Structural and Electronic Properties of FeNi3 and FeNi2Pt Alloys(Sumy State University, 2023) Achour, Y.; Benkrima, Y.; Lefkaier, I.; Belfennache, D.Ab initio метод псевдопотенціалу базується на теорії функціоналу густини (DFT), в якій використовується узагальнене градієнтне наближення (GGA) за схемою, описаною Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE). Метод реалізовано за допомогою програмного забезпечення Siesta для дослідження структурних, електронних і магнітних властивостей ГЦК фази сплавів FeNi3 і FeNi2Pt. Це дійсно корисна та ефективна програма, і її можна вважати хорошим методом прогнозування кристалічної структури та її властивостей, що і було підтверджено. Структура піддавалась процесу релаксації з метою розрахунку структурних параметрів. Отримані результати узгоджуються з наявними експериментальними та теоретичними даними. Установлено, що сталі ґратки та заборонена зона при нульовому значенні тиску узгоджуються з попередньою роботою. Результати зонної структури, розраховані з використанням GGA для сплаву FeNi3, порівнювались з результатами, отриманими для сплаву FeNi2Pt, де було виявлено, що рівні валентної зони дуже близькі один до одного в сплаві FeNi3 порівняно зі сплавом FeNi2Pt. Сумарна густина станів (TDOS) показує процес розподілу електронної густини в області, близькій до рівня Фермі, для обох сполук. Часткова густина станів (PDOS) демонструє більшу частину ефекту розподілу 3d-станів електронів двох сплавів, а в сплаві FeNi2Pt спостерігаються більші феромагнітні властивості, ніж в сплаві FeNi3.Item A Comparative Theoretical Study of ZnO and BeO Oxides in Terms of Electronic Properties(Sumy State University, 2022) Benkrima, Y.; Souigat, A.; Chaouche, Y.; Soudani, M.E.; Korichi, Z.; Slimani, D.; Mahdadi, N.ZnO та BeO є привабливими матеріалами з огляду на їх унікальні фізичні параметри, широку пряму заборонену зону, рівну 4,4. eV та 60,1 eV для ZnO та BeO відповідно та високу енергію зв'язку екситонів. Такі параметри роблять зазначені матеріали придатними для різних застосувань, ультрафіолетового (УФ) випромінювання та виявлення, пристроїв поверхневої акустичної хвилі (SAW), датчиків газу та прозорих провідних електродів. З цих причин наша робота зосереджена на дослідженні зонної структури та щільності станів обох напівпровідників ZnO і BeO з використанням теорії функціоналу щільності (DFT) з точки зору обміну та кореляції, наближення узагальненого градієнта (GGA) та наближення локальної щільності (LDA). Розраховані структурні параметри і значення середньої довжини зв'язку добре узгоджуються з іншими даними. Такі електронні властивості, як зонна структура сполук ZnO і BeO, визначені і порівняні з наявними значеннями енергетичної зони та інтерпретуються хімічно.Item Ab Initio Study of the Electronic and Optical Properties of ZnO and BeO: First Principles Calculations(Sumy State University, 2022) Benkrima, Y.; Chaouche, Y.; Souigat, A.; Korichi, Z.; Soudani, M.E.; Slimani, D.; Benameur, A.Ab initio метод псевдопотенціалу заснований на теорії функціоналу щільності (DFT), в якій використовуються наближення узагальненого градієнта (GGA) за схемою, описаною Perdew-BurkeErnzerhof (PBE), і наближення локальної щільності (LDA) за схемою, описаною Ceperly-Alder (CA). Метод реалізовано за допомогою програми Siesta для дослідження структурних та електронних властивостей фази вюрциту сполук оксиду цинку (ZnO) та оксиду берилію (BeO). Дійсно, це корисний метод для прогнозування кристалічної структури ZnO та BeO. Фактично розраховані структурні параметри цих сполук узгоджуються з наявними експериментальними даними, тому отримані результати можна вважати хорошим прогнозом. Виявлено, що як параметри решітки, так і ширина забороненої зони при нульовому тиску узгоджуються з попередніми теоретичними та експериментальними результатами. Крім того, отримана довжина зв'язку порівнюється з результатами попередньої роботи. Результати зонної структури, розраховані за допомогою GGA, порівнюються з результатами, отриманими з використанням LDA, де наближені значення виявляються найбільш точними. Електронні властивості, особливо загальна густина станів (TDOS), показують процес розподілу електронної густини в області, близькій до рівня Фермі, для обох сполук. Порівняння розрахованих параметрів решітки та всіх електронних властивостей з наявними експериментальними значеннями виявляє узгодженість між ними. Ці результати в цілому узгоджуються з теоретичними результатами.