Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
4 results
Search Results
Item Study of the Effect of Absorber Layer Thickness of CIGS Solar Cells with Different Band Gap Using SILVACO TCAD(Sumy State University, 2021) Laoufi, Amina Maria; Dennai, B.; Kadi, O.; Fillali, M.У роботі ми змоделювали тонкоплівковий сонячний елемент на основі міді, індію, галію та селеніду (CIGS) за допомогою симулятора SILVACO Atlas. Моделювання електричних характеристик та квантової ефективності проводилось при освітленні AM1,5 та температурі 300 К. У роботі ми змінили ширину забороненої зони CuInxGa1 – xSe, щоб оптимізувати ефективність сонячного елементу. Ми отримали його, варіюючи товщину шару поглинача з різними молярними частками x, які впливають на ефективність сонячного елементу. Результат моделювання показує, що максимальна ефективність 16,62 % була досягнута при ширині забороненої зони 1,67 еВ і товщині 3 мкм, густині струму короткого замикання 29,293 мА/см2, напрузі холостого ходу 1,29 В і коефіцієнта заповнення 87,79 %. Отримані результати показують, що запропоновану конструкцію можна розглядати як потенційного кандидата для високоефективних фотоелектричних застосувань.Item Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D(Sumy State University, 2018) Souilah, O.; Benzair, A.; Dennai, B.; Khachab, H.In this work we have studied The effect of thickness of the intrinsic layer in the PIN structure of InGaN tandem solar cells such as photo generation rate, efficiency and recombination rate through the cells. Improvement around of 13 % of PIN tandem solar cell over PN tandem solar cell is observed for low doping concentration (NA = 1016 cm – 3; ND = 1018 cm – 3) and surface recombination (103cm/s). The photo-generated shortcircuit current density (Jsc) and the open-circuit voltage (Voc) of structures under AM 1,5G (one sun) illumination, are simulated for different thickness of intrinsic layer varying from 50 nm to 350 nm.Item Effect of Temperature on the AlGaAs/GaAs Tandem Solar Cell for Concentrator Photovoltaic Performances(Sumy State University, 2016) Abderrahmane, Hemmani; Dennai, B.; Khachab, H.; Helmaoui, A.Multijunction solar cells for concentrator photovoltaic (CPV) systems have attracted increasing attention in recent years for their very high conversion efficiencies. But there is a problem in this type of solar cells (CPV) is to increase the temperature if it has been augmenting the concentration ratio. In this paper, we studied the effect of the concentration photovoltaic in a high-efficiency double-junction devices solar cell on temperature solar cell and its impact on the photocurrent, the efficiency and open circuit voltage. In this study, the top cell is made of AlGaAs (1.73 eV) while the bottom cell is made of GaAs (1.42 eV) between them a tunnel junction.Item Simulation of tunnel junction in cascade solar cell (GaAs/Ge) using AMPS-1D(Sumy State University, 2014) Dennai, B.; Slimane, H.B.; Helmaoui, A.The development of the tunnel junction interconnect was key the first two-terminal monolithic, multijunction solar cell development. This paper describes simulation for the tunnel junction (GaAs) between top cell (GaAs) and bottom cell (Ge). This solar cell cascade was simulated when using one dimensional simulation program called analysis of microelectronic and photonic structures (AMPS-1D). In the simulation, the thickness of the tunnel junction layer was varied from 10 to 50 nm. By varying thickness of tunnel junction layer the simulated device performance was demonstrate in the form of current-voltage(I-V) characteristics and quantum efficiency (QE).