Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
5 results
Search Results
Item Optical and Electrical Properties of n-type Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching and Study the Influence of y-irradiation(Sumy State University, 2019) Sulaiman, A.A.; Muhammed, A.A.K.; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym MykolaiovychШари пористого кремнію були отримані методом електрохімічного травлення. Нами було проведене дослідження фізичних та структурних властивостей шарів. Растрова електронна мікроскопія (РЕМ) та фрактографія були використані для дослідження впливу гамма-випромінювання на поруватість зразків в залежності від ступеня опромінення. Ріст поруватості у проекції ширини може бути пояснений збільшенням кількості дірок на поверхні шару кремнію при збільшенні дози опромінення. Фрактограми шарів вказують на ріст кристалітів перпендикулярно підкладці з орієнтацією росту <111>. Дослідження спектрів пропускання та відбивання показало, що при збільшенні дози опромінення від 0 до 100 Гр значення пропускання зразка зменшувалося, а відбивання, відповідно, збільшувало своє значення. Дослідження спектрів фотолюмінесценції шарів вказало на те, що утворення суцільних шарів кремнію призводить до зменшення інтенсивності піків фотолюмінесценції при збільшенні інтенсивності гама-випромінювання, що пов’язане зі збільшенням площі поверхні зразка та більшим значенням забороненої зони порівняно з масивним зразком. Був проведений розрахунок таких електрофізичних параметрів, як питомі опори та провідності, висота потенційного бар’єру та фактор ідеальності. Висота потенційного бар’єру у всіх випадка мала невелике значення, що пов’язано з наявністю інтерфейсу між шаром пористого кремнію та кремнієвою підкладкою, що призводить до виникнення дефектної підструктури. При збільшенні дози опромінення з 0 до 100 Гр фактор ідеальності збільшував своє значення з 1,544 до 17,563, відповідно. Спостерігалося зменшення значення питомого опору при збільшенні значення гамма-опромінення.Item Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique(Sumy State University, 2017) Іващенко, Максим Миколайович; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Иващенко, Максим Николаевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Бурик, Іван Петрович; Бурик, Иван Петрович; Buryk, Ivan Petrovych; Lutsenko, V.A.; Shevchenko, A.V.Pure (ZnSe) and europium doped (ZnSe:Eu) zinc selenide films were evaporated onto glass substrates using the close-spaced vacuum sublimation (CSVS) technique at different deposition conditions (substrate temperature). The fundamental optical parameters such as optical density, extinction coefficient, refraction index, real and imaginary parts of optical dielectric constant, band gap were evaluated in transparent region of transmittance and absorbance spectrum. Optical spectroscopy analysis shown that in both cases deposited films had a high level of transmittance values (55-65 % for ZnSe films and 80-90 % for ZnSe:Eu films). Moreover, evaluated values of the films optical band gap were in the range of Eg = (2.63-2.69) eV for ZnSe films and Eg = (2.77-2.81) eV for ZnSe:Eu for films with increasing of the films substrate temperature. Fourier-transformed infra-red (FTIR) analysis of deposited ZnSe and ZnSe:Eu films shown that all investigated samples are well-crystalline and identified vibrations are typical for II-VI semiconductors.Item Моделювання робочих характеристик сонячного елементу зі структурою p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo(Sumy State University, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Бурик, І.П.; Мороз, В.А.У роботі проведено моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольтамперні характеристики, спектральні залежності квантового виходу) сонячного елементу (СЕ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результаті визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю.Item Properties of the Window Layers for the CZTSe and CZTS Based Solar Cells(Видавництво СумДУ, 2012) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Проценко, Іван Юхимович; Проценко, Иван Ефимович; Protsenko, Ivan Yukhymovych; Cheong, H.The paper presents complex investigation of optical characteristics and some structural parameters of ZnS and ZnSe films obtained by the close-spaced sublimation technique under different growth condition. Investigation of optical characteristics was carried out in the 350-900 nm wavelength range for ZnS and 300-600 nm for ZnSe. Spectral distributions of transmission Т( ) and reflection spectra R( ) and their dependence on the deposition temperature of ZnS and ZnSe films are obtained from optical studies. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/24925Item Surfase morphology and optical properties of CdSe films obtained by the close-spaced vacuum sublimation technique(Видавництво СумДУ, 2009) Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Starikov, V.V.; Perevertaylo, V.L.Investigation of the surface morphology, growth mechanisms and optical properties of CdSe films obtained by the close-spaced vacuum sublimation (CSVS) technique, which are promising for use as the absorption layers of tandem solar cells and photodetectors, was carried out in the present paper. Measurements of the optical characteristics of the layers were performed by the spectrophotometric analysis method near the “red boundary” of semiconductor photoactivity. Performed investigations allowed to obtain the spectral distributions of the transmission T(λ), reflection R(λ), absorption α(λ), and refraction n(λ) coefficients, and the real ε1(λ) and imaginary ε2(λ) parts of the optical dielectric constant of the samples and to define their dependence on the film deposition temperature. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9358