Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Item
    Stages of Cr, Zn, Cu, Si, Ag, and Al Nucleation under Quasi-equilibrium Condensates of Ion-sputtered Atoms
    (Sumy State University, 2021) Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Космінська, Юлія Олександрівна; Косминская, Юлия Александровна; Kosminska, Yuliia Oleksandrivna; Шевченко, Станіслав Тарасович; Шевченко, Станислав Тарасович; Shevchenko, Stanislav Tarasovych; Наталіч, Вікторія Вадимівна; Наталич, Виктория Вадимовна; Natalich, Viktoriia Vadymivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
    У статті представлені результати досліджень етапів нуклеації конденсатів Cr, Zn, Cu, Si, Ag та Al при осадженні надслабких потоків розпиленої магнетроном речовини в квазірівноважних умовах в глибоко очищеному Ar. Досліджений в роботі розширений спектр металів та Si обумовлений необхідністю встановлення найбільш загальних особливостей процесу нуклеації квазірівноважних конденсатів. Як матеріал підкладки використовували свіжі сколи (001) KCl та скло. Структурно-морфологічні характеристики отриманих конденсатів вивчені за допомогою скануючої та просвічуючої електронної мікроскопії. Фазовий склад конденсатів вивчався за допомогою мікродифракції електронів. Для формування надслабких парових потоків іоннорозпилених металів та Si використана вакуумна установка з робочою камерою, що укомплектована трьома магнетронними розпилювачами на постійному струмі. Наднизькі парові потоки, що приймали участь в нуклеації, формувалися за рахунок підвищених тисків робочого газу (6-8 Па) та відстані від мішені до підкладки (80-100 мм). На основі просвічуючої та растрової електронної мікроскопії встановлено, що дія на поверхню (001) KCl часток плазми на першому етапі нуклеації визначає формування суцільної аморфної плівки, з ростом товщини якої відбувається зародження кристалічної фази. Важливою особливістю процесів нуклеації є виявлене в роботі формування базового аморфного прошарку. При збільшенні товщини аморфної базової плівки знижується вплив модифікованої плазмою поверхні (001) KCl на процес аморфізації, і, як наслідок, відбуваються локальні переходи до кристалічної фази. Показано, що залежно від структурноморфологічних характеристик базового шару нанокристалів при подальшій конденсації може формуватися система окремих огранених кристалів або пористі наносистеми.