Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
2 results
Search Results
Item Mechanical Spectroscopy and Internal Friction in SiO2/Si(Sumy State University, 2022) Onanko, A.P.; Kuryliuk, V.V.; Onanko, Y.A.; Kuryliuk, A.M.; Charnyi, D.V.; Dmytrenko, O.P.; Kulish, M.P.; Pinchuk-Rugal, T.M.; Kuzmych, A.A.Розроблена методика, сконструйована та виготовлена установка для збудження та реєстрації затухаючих згинних резонансних коливань в SiO2/Si дископодібних підкладках товщиною h = 300÷500∙103 нм та діаметром D = 60 ÷ 100∙106 нм з метою вимірювання структурно-чутливого внутрішнього тертя (ВТ) Q – 1. Розроблена методика неруйнуючого контролю інтегральної густини структурних дефектів nд та глибини порушеного шару hпш у дископодібних напівпровідникових підкладках. Вимірювання фону ВТ Q – 1 0 на гармонійних частотах f0, f2 дозволило експериментально визначити вузлові лінії дисків, що коливаються. Це дозволило вносити поправки до теоретичних розрахунків знаходження цих вузлових ліній з урахуванням лінійних розмірів дисків та способу їх кріплення. Досліджено температурний спектр ВТ Q – 1(Т) в SiO2/Si дископодібних підкладках після їх рентгенівського та електронного опромінення. В процесі вимірювань було встановлено, що відпал структурних дефектів Si змінює форму температурного спектру ВТ Q – 1(Т). Піки ВТ Q – 1М, що утворюються точковими дефектами, можна було спостерігати при умові, коли підкладка Si нагрівалася зі швидкістю V = ΔT/Δt ≤ 0.1 K/с. Це дозволило визначити енергію активації H переорієнтації анізотропних комплексів радіаційних дефектів. Встановлення стабільності параметрів фону ВТ Q – 1 0 дає можливість визначити радіаційну стійкість напівпровідникових підкладок та виробів на їх основі. Запропонована методика може використовуватись як неруйнуючий метод контролю дефектності кристалічної структури напівпровідникових підкладок, що застосовуються для потреб мікроелектроніки.Item Features of Inelastic and Elastic Characteristics of Si and SiO2/Si Structures(Sumy State University, 2021) Onanko, A.P.; Kuryliuk, V.V.; Onanko, Y.A.; Kuryliuk, A.M.; Charnyi, D.V.; Dmytrenko, O.P.; Kulish, M.P.; Pinchuk-Rugal, T.M.Вимірювання температурних залежностей внутрішнього тертя (ВТ) проводилося на ідентичних, що пройшли один i той же технологічний маршрут, підкладках Si р-типу, орієнтації (100), легованого бором B, з питомим електроопором p ≈ 7,5 Ом·см, товщиною h ≈ 4.7·105 нм після нанесення на них шару SiO2 товщиною h ≈ 600 нм в результаті високотемпературного окислення в сухому O2 при T0 ≈ 1300 K. В процесі вимірювань було встановлено, що відпал структурних дефектів Si змінює форму температурного спектру ВТ. Піки ВТ Q – 1М, що утворюються точковими дефектами, можна було спостерігати при умові, коли підкладка Si нагрівалася зі швидкістю V = ΔT/Δt ≤ 0.1 К/с. Після рентгенівського опромінення дозою y ≈ 104 Р максимум ВТ при ТМ1 ≈ 320 К різко зростає; його висота Q – 1М1 збільшується майже у 3 рази при зменшенні вдвічі ширини ΔQ – 1М1, що свідчить про проходження процесу релаксації одного типу радіаційних дефектів. Для піка ВТ в підкладці Si при ТМ1 ≈ 320 К було отримано значення енергії активації H1 ≈ 0,63 eВ. Близькість отриманого нами значення енергії активації H1 при ТМ1 ≈ 320 К до енергії міграції для додатно заряджених мiжвузлових атомів Sii + H0 ≈ 0,85 eВ дозволяє припустити релаксаційний механізм, що обумовлений переорієнтацією міжвузлових атомів Sii. При електронному опроміненні в результаті зіткнення електронів з атомами Si відбувається утворення дефектів по Френкелю. Оцінки показують, що енергія електронів W ≈ 1 MeВ, яка відповідає експерименту, достатня для зміщення атомів Si із своїх рівноважних положень. Після опромінення дозою y ≈ 105 Р висота максимуму Q – 1М1 при ТМ1 ≈ 320 К в порівнянні зі спектром ВТ до опромінення істотно не змінилася, що свідчить про особливий вплив дози y ≈ 105 Р.