Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
3 results
Search Results
Item The Concentration Measurements of Tellurium Donor Impurity in Lamellar Bismuth Samples by the Time-of-Flight Mass Spectrometry Method(Sumy State University, 2019) Matveev, D.Yu.; Starov, D.V.У роботі вивчається можливість визначення глибинного розподілу донорної домішки телуру в пластинчатих зразках вісмуту з використанням методів мас-спектрометрії та електронної мікроскопії в діапазоні концентрацій 0.005-0.150 ат. % Te. Для вимірювання кількості телуру в пластинчатих зразках вісмуту використовувався часопролітний мас-спектрометр LUMAS-30 з імпульсним газовим розрядом низького тиску в комбінованому порожнистому катоді та скануючий електронний мікроскоп Zeiss Evo40. Зразки для вимірювань вирізали з середини злитків сплаву Bi-Te з необхідною концентрацією домішок. Зразки представляли собою тонку пластину розміром 10 × 10 мм2 і товщиною 1 мм. Їх ретельно промивали дистильованою водою, а потім травили у 65 % розчині азотної кислоти для видалення поверхневого шару зі слідами зовнішніх забруднень. Зразки зміцнювали як дно порожнистого катода в газорозрядній комірці, де відбувалася імпульсна іонізація атомів зразка у плазмі тліючого розряду. Відносна похибка глибинного розподілу домішок не перевищувала 6 %, а похибка визначення концентрації домішок мас-спектрометром, за паспортними даними, не перевищувала 5 %. Межа чутливості при визначенні концентрації домішок у приладі LUMAS-30, за паспортними даними, становила 10–6 ат. %. В результаті проведених досліджень встановлено, що метод часопролітної масової спектрометрії дає дуже точне визначення концентрації домішок телуру, а також дозволяє встановити рівномірний розподіл телуру у об'ємі легованого пластинчастого зразка вісмуту. Метод електронної мікроскопії з використанням мікроскопа Zeiss Evo-40 не дає рівномірного розподілу телуру у об'ємі зразка.Item Structure Features of Bismuth Films Doped with Tellurium(Sumy State University, 2018) Matveev, D.Yu.; Starov, D.V.; Demidov, E.V.The influence of doping degree on the structural characteristics of bismuth films doped with tellurium in the concentration range 0.005-0.150 at. % Te and the thickness range 0.3-0.7 µm is studied at present article. Authors have established that an increase of the doping degree with tellurium in bismuth films leads to a significant decreasing of the growth figures. The weak influence of annealing on the crystallite size of bismuth films doped with tellurium indicates their high temporal stability of the structure.Item Carrier Scattering Mechanisms in Bismuth Films Doped with Tellurium(Sumy State University, 2016) Matveev, D.Yu.The article compares carrier mobility in monocrystals, as well as monocrystal and block films of different width thus defining carrier contribution to interaction with phonons, surface, boundaries and structural defects of crystallites in bismuth films doped with tellurium. It is determined that there is a linear dependence of inverse electron mobility on inverse width of bismuth film doped with tellurium.