Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
8 results
Search Results
Item Efficiency Modeling of Solar Cells Based on the n-Zn1-xMgxO / p-SnS Heterojunction(Sumy State University, 2019) Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Гриненко, Віталій Вікторович; Гриненко, Виталий Викторович; Hrynenko, Vitalii Viktorovych; Plotnikov, S.V.Визначено рекомбінаційні та оптичні втрати в допоміжних і поглинаючому шарах фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі гетеропереходу (ГП) n-MgxZn1-xO/p-SnS (x = 0; 0.3; 1) із струмознімальними прозорими фронтальними контактами AZnO та ITO. Отримані спектральні залежності коефіцієнту пропускання світла сонячними елементами (СЕ), враховуючи відбиття світла від меж поділу контактуючих шарів матеріалів, а також його поглинання в допоміжних шарах приладів. Визначено квантовий вихід досліджуваних структур фотоперетворювачів. Досліджено вплив рекомбінаційних і оптичних втрат в СЕ з конструкцією ITO(AZnO)/MgxZn1-xO/SnS на струм короткого замикання за різної товщини віконного шару MgxZn1-xO (25-400 нм) та сталій товщині струмознімальних шарів AZnO і ITO (100-200 нм). Розраховано ККД структур для випадку напруги холостого ходу Uхх знайденої з енергетичних діаграм переходів та взятої з літературних даних. Встановлено, що в першому випадку СЕ можуть мати ефективність, яка зростає при збільшенні вмісту Mg в твердому розчині від 4.91 % (ГП ZnO/SnS) до 10.8 % (ГП MgO/SnS). У другому випадку найбільші значення ефективності (ƞ = 11.62 %) мають СЕ на основі ГП ZnO/SnS зі струмопровідним контактом AZnO. Прилади на основі ГП Mg0.3Zn0.7O/SnS та MgO/SnS, показують значення ККД 5.97 % та 5.84 % відповідно. Матеріал верхнього струмопровідного контакту слабко впливає на ефективність СЕ. Одержані результати дають змогу визначити максимальне значення ефективності розглянутих СЕ з урахуванням рекомбінаційних та оптичних втрат в шарах фотоперетворювачів та провести оптимізацію параметрів реальних приладів з метою досягнення цих значень ККД.Item Study of the Structural and Optical Properties of Dy Doped CdS Thin Films Deposited by Close-spaced Vacuum Sublimation(Sumy State University, 2018) Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Bukivskij, P.M.; Furier, M.S.; Bukivskii, A.P.; Gnatenko, Yu.P.; Гнатенко Ю.П.; Буківський П.М.; Фур'єр М.С.In this work we deposited CdS:Dy thin films using a close-spaced vacuum sublimation method at different temperatures (Ts) of the glass substrate. The XRD analysis reveals that the obtained films only correspond to a single wurtzite phase. The microstress level in Dy doped CdS films decreases compared with undoped films. The results of the pole density calculations show that at Ts (573-673) K the [002] crystallographic direction corresponds to the main axial growth texture. The intrinsic defects in the investigated films were studied based on the low temperature photoluminescence measurements. It was shown that the CdS:Dy thin films are sufficiently stoichiometric. Analysis of the free exciton reflection spectra indicates that the polarization of the bands corresponds to the optical c-axis perpendicular to the substrate surface. The optical transmittance of CdS:Dy thin films in the range of transparency (600-800 nm) at room temperature exceeded 80 %. Based on the obtained results, it is concluded that the CdS:Dy thin films are excellent crystalline and optical quality and may be increase the efficiency their photovoltaic applications.Item Thermoelectric Properties of the Colloidal Bi2S3-Based Nanocomposites(Sumy State University, 2017) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Trivedi, U.B.; Panchal, C.J.; Priya, Suryavanshi; Kheraj, V.A.In this work we present the proof of the concept of the novel strategy to improve the thermoelectric properties of Bi2S3 based nanostructured bulk materials by blending the metallic nanoinclusions with the semiconductor nanoparticles forming the nanocomposites (NCts). The obtained NCts were composed of Bi2S3 nanorods (length – 100 nm and width – 10 nm) and Ag nanoparticles (diameter – 2-3 nm) synthesized by the colloidal method. The morphology, phase and chemical composition, electrical conductivity and Seebeck coefficient of NCts were investigated by using transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction, energy dispersive X-ray analysis (EDAX), 4-point probes method and static dc-method. This strategy is the perspective way to improve the conversion efficiency of others thermoelectric materials.Item The Performance Optimization of Thin-Film Solar Converters Based on n-ZnMgO / p-CuO Heterojunctions(Sumy State University, 2017) Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Patel, P.B.; Panchal, C.J.; Priya, Suryavanshi; Kheraj, V.A.In this paper, we present the results of the calculations of optical losses in the solar cells layers based on heterojunction n-ZnMgO / p-CuO with ZnO and ITO frontal contacts. The calculations were carried out taking into account a light absorption in the auxiliary layers of the device. As a result, the spectral dependencies of transmittance Т(λ) in the absorber layer of solar cell were defined. It is made possible to optimize the design of the solar cells based on such heterojunctions.Item Preparation and optical properties of ZnSe films(Сумський державний університет, 2012) Sofronova, E.M.; Sofronov, D.S.; Starikov, V.V.; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychMicrowave method was used for the synthesis and purification of the initial zinc selenide salt. The obtaining powder was used for deposition of the ZnSe thin films on the ultrasonically cleaned glass substrates using the quasi-closed space evaporation under the following conditions: the constant evaporation temperature Te = 800 °C, the temperature of the substrate Ts = 100-600 °C. The investigation of optical characteristics allow to calculate the band gap of condensates and specify their phase composition. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30273Item Properties of the Window Layers for the CZTSe and CZTS Based Solar Cells(Видавництво СумДУ, 2012) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Проценко, Іван Юхимович; Проценко, Иван Ефимович; Protsenko, Ivan Yukhymovych; Cheong, H.The paper presents complex investigation of optical characteristics and some structural parameters of ZnS and ZnSe films obtained by the close-spaced sublimation technique under different growth condition. Investigation of optical characteristics was carried out in the 350-900 nm wavelength range for ZnS and 300-600 nm for ZnSe. Spectral distributions of transmission Т( ) and reflection spectra R( ) and their dependence on the deposition temperature of ZnS and ZnSe films are obtained from optical studies. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/24925Item Electrophysical and structural properties of n-ZnS/p-CdTe heterojunctions(Вид-во СумДУ, 2009) Kurbatov, Denys Ihorovych; Курбатов, Денис Игоревич; Курбатов, Денис Ігорович; Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna; Опанасюк, Надежда Николаевна; Опанасюк, Надія Миколаївна; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Косяк, Владимир Владимирович; Косяк, Володимир ВолодимировичВ роботі проведено дослідження електрофізичних та структурних властивостей плівкових гетеропереходів ZnS/CdTe одержаних методом сублімації в замкненому об’ємі при різних умовах конденсації. В результаті визначені коефіцієнти ідеальності гетеропереходів, струми насичення, висоту потенціальних бар‘єрів та механізми струмо-перенесення через гетеросистеми. Структурні дослідження дозволили встановити тип текстури плівок, їх фазовий склад, період кристалічної решітки матеріалів, а також залежність цих параметрів від технологічних умов отримання конденсатів. Показано, що на межі розділу гетеросистем отриманих при температурах підкладки Ts > 773 К утворюються тверді розчини з певним хімічним складом. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3599Item Електрофізичні та структурні властивості гетеро переходів n-ZnS/p-CdTe(Вид-во СумДУ, 2009) Курбатов, Денис Ігорович; Опанасюк, Надія Миколаївна; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Косяк, Володимир Володимирович; Kurbatov, Denys Ihorovych; Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Опанасюк, Надежда Николаевна; Косяк, Владимир Владимирович; Курбатов, Денис ИгоревичВ роботі проведено дослідження електрофізичних та структурних властивостей плівкових гетеропереходів ZnS/CdTe одержаних методом сублімації в замкненому об’ємі при різних умовах конденсації. В результаті визначені коефіцієнти ідеальності гетеропереходів, струми насичення, висоту потенціальних бар‘єрів та механізми струмо-перенесення через гетеросистеми. Структурні дослідження дозволили встановити тип текстури плівок, їх фазовий склад, період кристалічної решітки матеріалів, а також залежність цих параметрів від технологічних умов отримання конденсатів. Показано, що на межі розділу гетеросистем отриманих при температурах підкладки Ts > 773 К утворюються тверді розчини з певним хімічним складом. // Eng Electrophysical and structural characteristics of ZnS/CdTe film heterojunctions obtained by close-spaced vacuum sublimation technique at different growth conditions has been studied in this work. Results of these studies enabled to determine ideality factors, saturation currents, potential barriers and current-transfer mechanisms of these heterostructures. Structural investigations enabled to determine texture type of the films; theirs phase composition, lattice parameters and dependence of these parameters on the growth conditions. As a result, shown that on heterosystems boundary obtained at substrates temperatures Ts > 773 К arise solid solutions with a definite chemical composition. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2645