Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
Search Results
Item Influence of Triple Material on Performance Study of Double Gate PiN Tunneling Graphene Nanoribbon FET for Low Power Logic Applications(Sumy State University, 2021) Ritam, Dutta; Nitai, PaityaБуло розроблено потрійні матеріали з різними роботами виходу та досліджено їх вплив на роботу тунельного польового транзистора з графенових нанострічок PiN FET з подвійним затвором (DG-TMPiN-TGNFET) для підвищення продуктивності пристрою. Складений матеріал III/V (InAs) був використаний в області витоку цього тунельного польового транзистора з n-канальним гетеропереходом, завдяки чому напружено-деформований стан покращував тунелювання. Графен, який є матеріалом із невеликою шириною забороненої зони, був використаний у формі нанострічки, щоб максимально зменшити ширину забороненої зони. У роботі представлено три різні матеріали для обмеження зворотного тунелювання між стоком та витоком, а також для покращення продуктивності тунельного транзистора з точки зору розподілу поверхневого потенціалу, поперечно-вертикальних змін електричного поля і передавальних характеристик. Ця DG-PiN-TGNFET структура на основі потрійних матеріалів забезпечує кращі підпорогові коливання амплітудою 18,56 мВ/декада при напрузі живлення 0,5 В у порівнянні з TGN-FET структурами з подвійним затвором на основі одинарних та подвійних матеріалів. Повне моделювання було виконано за допомогою програмного забезпечення для розв'язування двовимірних математичних задач TCAD. Більше того, низька порогова напруга сприяє тому, що пропонований пристрій найкраще підходить для додатків низькопотужної логіки.