Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
5 results
Search Results
Item Effect of Uniaxial Compression on Excitation Conditions and Parameters of Low-Frequency Auto-Oscillations of Current in Compensated Silicon(Sumy State University, 2025) Zikrillaev, N.F.; Sattorov, A.A.; Zikrillaev, X.F.; Kurbanova, U.Kh.; Norkulov, N.; Shoabdurakhimova, M.M.; Kushiev, G.A.; Abduganiev, Y.A.; Abdullaeva, N.У компенсованому кремнії, легованому домішками, які створюють глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні, виявлено низку цікавих фізичних явищ, що мають як наукове, так і практичне значення. Одним із таких явищ є низькочастотні автоколивання струму, які збуджуються за певних умов. У даній роботі розглядається вплив одноосного пружного стискання на параметри автоколивань струму. Дослідження проводились на зразках кремнію, легованих домішками марганцю, з орієнтацією по кристалографічних напрямках ˂111˃, ˂110˃ та ˂100˃. Встановлено, що характер зміни умов збудження та параметрів автоколивань (амплітуди, частоти) залежить від кристалографічного напряму. Особливу увагу привертає аномальна поведінка порогового електричного поля (Еₜₕ) і параметрів автоколивань у зразках з напрямком ˂100˃. Фізичний механізм зміни параметрів та умов збудження автоколивань пояснюється зміною населеності глибокого енергетичного рівня двічі іонізованими атомами марганцю. Аналіз отриманих результатів, у поєднанні з теоретичними уявленнями, дозволяє пояснити вплив одноосного стискання на поведінку автоколивань струму в таких структурах.Item Nickel Clusters in the Silicon Lattice(Sumy State University, 2024) Ismailov, K.A.; Zikrillaev, N.F.; Ismaylov, B.K.; Kamalov, Kh.; Isamov, S.B.; Kenzhaev, Z.T.Досліджено гетерні властивості кластерів нікелю в решітці кремнію. Досліджено гетеруючі властивості кластерів нікелю в різних станах, тобто у вихідних (еталонних) зразках, а також у зразках з додатково легованими домішковими атомами сірки та марганцю між вузлами та вузлами ґратки. Електрофізичні та фотоелектричні параметри досліджували за допомогою сучасної апаратури: інфрачервоного мікроскопа типу INFRAM-I, IKS-21 та скануючого електронного мікроскопа SEM (Oxford Instruments ZEISS EVOMA10), IKS-21. Також запропоновано нову технологію, що дозволяє отримувати шкідливі домішки; рекомендовано для широкого застосування в електронній промисловості та науково-дослідних інститутах для виробництва матеріалів зі стабільними параметрами та розробки принципово нових пристроїв.Item Effect of GaSb Compound on Silicon Bandgap Energy(Sumy State University, 2024) Iliev, Kh.M.; Zikrillaev, N.F.; Ayupov, K.S.; Isakov, B.O.; Abdurakhmanov, B.A.; Umarkhodjaeva, Z.N.; Isamiddinova, L.I.Досліджена ширина забороненої зони зразків Si, легованих домішковими атомами елементів Ga (AIII) і Sb (BV) дифузійним методом і без домішкових атомів. Відомо, що ширина забороненої зони напівпровідників GaSb і Si при кімнатній температурі становить 0,726 і 1,12 еВ відповідно. Установлено, що щирина забороненої зони зразків Ga та Sb легованого та нелегованого Si становить 1,114 та 1,119 еВ відповідно. Під час подальшого відпалу матеріалів при температурі 600 °C було виявлено, що ширина забороненої зони легованих Ga та Sb зразків зменшується до 1,10 еВ.Item Optical Properties of GexSi1 – x Binary Compounds in Silicon(Sumy State University, 2023) Zikrillaev, N.F.; Kushiev, G.A.; Hamrokulov, Sh.I.; Abduganiev, Y.A.Використання альтернативних і відновлюваних джерел енергії в енергозабезпеченні в усьому світі викликає великий практичний інтерес. Зростання інтересу до них зумовлене екологічними міркуваннями, з одного боку, та обмеженістю традиційних вуглеводневих джерел енергії, з іншого. Особливе місце серед альтернативних і відновлюваних джерел енергії займають фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії, вивчення фізики, що стало окремим науковим напрямком фотовольтаїки. Розробка та створення фотоелементів на основі кремнію бінарними сполуками атомів германію GexSi1–x в об’ємі також становить особливий інтерес для вчених і спеціалістів. Оскільки виробництво кремнію з бінарними сполуками кремній-германій з певними електричними параметрами і структурою дозволяє значно розширити спектральну область чутливості фотоприймачів і ефективність фотоелементів на основі таких матеріалів.Item Photovoltaic Properties of Silicon Doped with Manganese and Germanium(Sumy State University, 2023) Zikrillaev, N.F.; Kushiev, G.A.; Isamov, S.B.; Abdurakhmanov, B.A.; Tursunov, O.B.Установлено, що зразки кремнію, леговані атомами марганцю та германію, утворюють бінарні сполуки типу Si2˂GeMn˃, які сильно впливають на електрофізичні та оптичні властивості кремнію. Показано, що вплив атомів марганцю після дифузії в кремній призводить до 10 % зниження концентрації оптично активного кисню. Експериментально доведено, що кремній, легований атомами германію та марганцю, може бути використаний для розробки інфрачервоних фотодетекторів, що працюють в діапазоні довжин хвиль 1-8 мкм і дозволяють більш чутливо детектувати інфрачервоне випромінювання та температуру. Установлено, що під час росту відбувається взаємодія між атомами Ge і Mn. Це підтверджується зникненням рівня енергії марганцю в кремнії, який відповідає за гасіння фотопровідності в кремнії, легованому атомами марганцю.