Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
4 results
Search Results
Item Efficiency Modeling of Solar Cells Based on the n-Zn1-xMgxO / p-SnS Heterojunction(Sumy State University, 2019) Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Гриненко, Віталій Вікторович; Гриненко, Виталий Викторович; Hrynenko, Vitalii Viktorovych; Plotnikov, S.V.Визначено рекомбінаційні та оптичні втрати в допоміжних і поглинаючому шарах фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі гетеропереходу (ГП) n-MgxZn1-xO/p-SnS (x = 0; 0.3; 1) із струмознімальними прозорими фронтальними контактами AZnO та ITO. Отримані спектральні залежності коефіцієнту пропускання світла сонячними елементами (СЕ), враховуючи відбиття світла від меж поділу контактуючих шарів матеріалів, а також його поглинання в допоміжних шарах приладів. Визначено квантовий вихід досліджуваних структур фотоперетворювачів. Досліджено вплив рекомбінаційних і оптичних втрат в СЕ з конструкцією ITO(AZnO)/MgxZn1-xO/SnS на струм короткого замикання за різної товщини віконного шару MgxZn1-xO (25-400 нм) та сталій товщині струмознімальних шарів AZnO і ITO (100-200 нм). Розраховано ККД структур для випадку напруги холостого ходу Uхх знайденої з енергетичних діаграм переходів та взятої з літературних даних. Встановлено, що в першому випадку СЕ можуть мати ефективність, яка зростає при збільшенні вмісту Mg в твердому розчині від 4.91 % (ГП ZnO/SnS) до 10.8 % (ГП MgO/SnS). У другому випадку найбільші значення ефективності (ƞ = 11.62 %) мають СЕ на основі ГП ZnO/SnS зі струмопровідним контактом AZnO. Прилади на основі ГП Mg0.3Zn0.7O/SnS та MgO/SnS, показують значення ККД 5.97 % та 5.84 % відповідно. Матеріал верхнього струмопровідного контакту слабко впливає на ефективність СЕ. Одержані результати дають змогу визначити максимальне значення ефективності розглянутих СЕ з урахуванням рекомбінаційних та оптичних втрат в шарах фотоперетворювачів та провести оптимізацію параметрів реальних приладів з метою досягнення цих значень ККД.Item Thermoelectric Properties of the Colloidal Bi2S3-Based Nanocomposites(Sumy State University, 2017) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Trivedi, U.B.; Panchal, C.J.; Priya, Suryavanshi; Kheraj, V.A.In this work we present the proof of the concept of the novel strategy to improve the thermoelectric properties of Bi2S3 based nanostructured bulk materials by blending the metallic nanoinclusions with the semiconductor nanoparticles forming the nanocomposites (NCts). The obtained NCts were composed of Bi2S3 nanorods (length – 100 nm and width – 10 nm) and Ag nanoparticles (diameter – 2-3 nm) synthesized by the colloidal method. The morphology, phase and chemical composition, electrical conductivity and Seebeck coefficient of NCts were investigated by using transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction, energy dispersive X-ray analysis (EDAX), 4-point probes method and static dc-method. This strategy is the perspective way to improve the conversion efficiency of others thermoelectric materials.Item Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4, отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу(Сумський державний університет, 2017) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Лобода, Валерій Борисович; Лобода, Валерий Борисович; Loboda, Valerii Borysovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Чеонг, Х.В роботі методами рентгенодифрактометрії, скануючої електронної мікроскопії (СЕМ), енергодиспер- сійної рентгенівської, раманівської та оптичної спектроскопії досліджені плівки Cu2ZnSnS4, отримані ме- тодом пульсуючого спрей-піролізу при Ts = 673 К з прекурсору, що містить CuCl2∙2H2O, ZnCl2, SnCl2∙2H2O, NH2CHNH2. Показано, що стехіометрію, структурні та оптичні характеристики плівок мож- на змінювати в широких межах, змінюючи об’єм розпиленого прекурсора. Зразки нанесені в оптималь- них умовах мали практично однофазну кестеритну структуру, стехіометрію та ширину оптичної заборо- неної зони близькі до оптимальних для отримання високих значень ККД сонячних елементів.Item Оптичні та рекомбінаційні втрати у тонкоплівкових сонячних елементах на основні гетеропереходів n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe із струмознімальними контактами ITO та ZnO(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Гриненко, Віталій Вікторович; Гриненко, Виталий Викторович; Hrynenko, Vitalii ViktorovychВ работе определены оптические и рекомбинационные потери во вспомагательных и поглощащих слоях солнечных элементов на основе гетеропереходов n-ZnS / p-CdTe и n-CdS / p-CdTe с токосъемными фронтальными контактами ITO и ZnO. В результате рассчитаны спектральные зависимости коэффициента пропускания (Т) света фотопреобразователей при учете его отражения от границ контактирующих материалов и в случае его поглощения во вспомогательных слоях солнечных элементов. Исследовано влияние оптических и рекомбинационных потерь в СЭ со структурой ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на ток короткого замыкания (Jкз) и эффективность (η) фотопреобразователей при различной толщине оконных слоев CdS (ZnS) (50-300 нм) и постоянной токосъемных слоев (200 нм). Установлено, что наибольшие значения эффективности (15,9-16,1 %) имеют солнечные элементы со структурой ZnO / ZnS / CdTe при концентрации нескомпенсированных акцепторов в поглощающем слое (Na – Nd) = 1015-1017 см – 3 и толщине оконного слоя 50 нм.