Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
12 results
Search Results
Item Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4, отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу(Сумський державний університет, 2017) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Лобода, Валерій Борисович; Лобода, Валерий Борисович; Loboda, Valerii Borysovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Чеонг, Х.В роботі методами рентгенодифрактометрії, скануючої електронної мікроскопії (СЕМ), енергодиспер- сійної рентгенівської, раманівської та оптичної спектроскопії досліджені плівки Cu2ZnSnS4, отримані ме- тодом пульсуючого спрей-піролізу при Ts = 673 К з прекурсору, що містить CuCl2∙2H2O, ZnCl2, SnCl2∙2H2O, NH2CHNH2. Показано, що стехіометрію, структурні та оптичні характеристики плівок мож- на змінювати в широких межах, змінюючи об’єм розпиленого прекурсора. Зразки нанесені в оптималь- них умовах мали практично однофазну кестеритну структуру, стехіометрію та ширину оптичної заборо- неної зони близькі до оптимальних для отримання високих значень ККД сонячних елементів.Item Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадмієм на їх електрофізичні властивості(Сумський державний університет, 2017) Фочук, П.М.; Никонюк, Є.С.; Захарук, З.І.; Раренко, Г.І.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Ковалець, М.О.Показано, що електрофізичні характеристики кристалів телуриду кадмія з надстехіометричним кадмієм, вирощених методом Бріджмена, визначаються передростовою температурою розплаву. У випадку невеликого перегріву розплаву (ΔТ ≤ 15 К) були одержані кристали р-типу з широким діапазоном електричних параметрів: концентрацією дірок р = (1010÷1016) см – 3 і рухливістю μр = (10÷70) см2/(В∙с) при 300 К. Якщо ж розплав був попередньо значно перегрітим (ΔТ ≈ 40÷65 К), то були вирощені однорідні кристали n-типу, в яких n = (1014 ÷1015) см – 3, μn = (500÷1110) см2/(В∙с) при 300 К. Кристали n-типу зберігали стабільність при нагріванні до 720 К, в цей же час в кристалах р-типу при нагріванні до Т > 370 К спостерігалися релаксаційні процеси гістерезисного типу.Item Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1)(Сумський державний університет, 2016) Фочук, П.; Никонюк, Є.; Захарук, З.; Дремлюженко, С.; Солодін, C.; Копач, О.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychПроведено аналіз температурної залежності (Т = 80÷360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1), вирощених вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1 – xZnxTe провідність контролюється як акцепторами А1(ε0A=0,03÷0,05 еВ), так і акцепторами А2(ε0A ≈ 0,12 еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1 – yMnyTe і Cd1 – x – yZnxMnyTe лише акцепторами А2, при цьому залежність εА2(y) описується рівнянням: εА2 = 0,12 (1 + 5,5y), еВ.Item Оптичне пропускання і електрофізичні властивості твердих розчинів Cd1 – xMnxTe(Сумський державний університет, 2015) Никонюк, Є.С.; Захарук, З.І.; Раренко, Г.І.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Гриненко, Віталій Вікторович; Гриненко, Виталий Викторович; Hrynenko, Vitalii Viktorovych; Фочук, П.М.Оптимізованим методом Бріджмена із використанням рухомого нагрівника одержано монокрис- тали твердих розчинів Cd1 – xMnxTe (0,04 ≤ x ≤ 0,55). Досліджено спектри оптичного пропускання й електрофізичні властивості матеріалу при відповідних значеннях «х».Item Моделювання робочих характеристик сонячного елементу зі структурою p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo(Sumy State University, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Бурик, І.П.; Мороз, В.А.У роботі проведено моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольтамперні характеристики, спектральні залежності квантового виходу) сонячного елементу (СЕ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результаті визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю.Item Структура і елементний склад плівок Pb1 – xSnxS(Сумський державний університет, 2015) Коваль, Павло Вікторович; Коваль, Павел Васильевич; Koval, Pavlo Viktorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Туровець, А.І.; Ташликов, І.С.; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Жуковські, П.В роботі методами дифрактометрії, растрової і атомно-силової мікроскопії, рентгенівського характеристичного випромінювання індукованого сфокусованим протонним пучком (PIXE), Резерфордівського зворотного розсіювання іонів гелію-4 проведено дослідження плівок твердих розчинів Pb1 – xSnxS, нанесених методом «гарячої стінки». Встановлено, що шари отримані в інтервалі температур конденсації Ts = (268-382) °C, мають практично однофазну кристалічну структуру орторомбічної модифікації з параметрами гратки, які знаходяться у діапазоні a = (0,4214-0,4293) нм, b = (1,1246-1,1313) нм с = (0,3980-0,4015) нм. Розміри областей когерентного розсіювання в плівках складають L(040) = (35,5- 47,5) нм, L(131) = (44,4-51,5) нм. Досліджено розподіл компонентів сполуки за площею плівок (ϻ-PІXE), а також визначено їх елементний склад (PІXE). Встановлено, що отримані зразки дещо збіднені сіркою в порівнянні зі стехіометричним складом. Атомна концентрація компонентів, що входять до складу твердого розчину, змінюється в інтервалі СPb = 12,71-19,13; CSn = 40,29-44,46; CS = 38,36-42,75 ат. %. При збільшенні температури підкладки вміст свинцю в плівках збільшується, а сірки зменшується, атомна концентрація олова при цьому змінюється слабко.Item Оптичні та рекомбінаційні втрати у тонкоплівкових сонячних елементах на основні гетеропереходів n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe із струмознімальними контактами ITO та ZnO(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Гриненко, Віталій Вікторович; Гриненко, Виталий Викторович; Hrynenko, Vitalii ViktorovychВ работе определены оптические и рекомбинационные потери во вспомагательных и поглощащих слоях солнечных элементов на основе гетеропереходов n-ZnS / p-CdTe и n-CdS / p-CdTe с токосъемными фронтальными контактами ITO и ZnO. В результате рассчитаны спектральные зависимости коэффициента пропускания (Т) света фотопреобразователей при учете его отражения от границ контактирующих материалов и в случае его поглощения во вспомогательных слоях солнечных элементов. Исследовано влияние оптических и рекомбинационных потерь в СЭ со структурой ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на ток короткого замыкания (Jкз) и эффективность (η) фотопреобразователей при различной толщине оконных слоев CdS (ZnS) (50-300 нм) и постоянной токосъемных слоев (200 нм). Установлено, что наибольшие значения эффективности (15,9-16,1 %) имеют солнечные элементы со структурой ZnO / ZnS / CdTe при концентрации нескомпенсированных акцепторов в поглощающем слое (Na – Nd) = 1015-1017 см – 3 и толщине оконного слоя 50 нм.Item Аналіз елементного складу плівок Cu2ZnSnSe4 методами PIXE та м-PIXE(Сумський державний університет, 2014) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Коваль, П.В.; Магілін, Д.В.; Пономарев, А.А.; Чеонг, Х.Методом рентгенівського характеристичного випромінювання індукованого сфокусованим протонним пучком проведено дослідження розподілу компонентів сполуки за площею плівок Cu2ZnSnSe4 μ-PІXE), а також визначено їх елементний склад (PІXE). Для реалізації методу використаний ядерний скануючий мікрозонд з енергією пучка протонів 1,5 MеВ і поперечним розміром зонда 4*4 мкм2. Плівки чотирьохкомпонентної сполуки отримані при різних фізико-технологічних режимах осадження співвипаровуванням компонентів з використанням електронно-променевої гармати. Як підкладки використано скло з підшаром молібдену нагріте до температури 400 градусів С. У результаті досліджень встановлено, що розподіл елементів по площі конденсатів є однорідним, а їх склад визначається фізикотехнологічними умовами отримання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36040Item Оптичні характеристики та склад плівок Cd1 - xMnxTe отриманих методом квазізамкненого об'єму(Видавництво СумДУ, 2011) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Коваль, П.В.; Фочук, П.М.; Старіков, В.В.Проведено дослідження оптичних характеристик плівок Cd1 – xMnxTe, отриманих методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі. Вимірювання здійснювалися методами спектрофотометричного аналізу поблизу «червоної межі» фотоактивності напівпровідника. В результаті отримані спектральні розподіли коефіцієнтів пропускання Т(λ), відбиття R(λ), поглинання α(λ) плівок та розрахована ширина забороненої зони матеріалу. Значення ширини забороненої зони було використане для визначення вмісту марганцю у конденсатах в залежності від фізико-технологічних умов їх отримання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587Item Високотемпературний метод інжекційної спектроскопії глибоких пасток(Издательство СумГУ, 2000) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Тиркусова, Надія Володимирівна; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Тыркусова, Надежда Владимировна; Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna